[实用新型]内绝缘封装预防残胶的功率器件有效

专利信息
申请号: 202122410102.9 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN215644475U 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 郑忠庆;原江伟;傅信强;王毅 申请(专利权)人: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/36
代理公司: 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 代理人: 郭翔
地址: 225008 江苏省扬*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 绝缘 封装 预防 功率 器件
【权利要求书】:

1.内绝缘封装预防残胶的功率器件,包括依次连接的铜框架一、陶瓷层、铜框架二和芯片;其特征在于,所述铜框架二上设有若干用于提高绝缘性的豁口,所述豁口内设有与所述陶瓷层固定连接的铜垫块;

所述铜垫块的厚度与所述铜框架二的厚度相等。

2.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述铜垫块的截面呈圆角矩形。

3.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述铜垫块设有若干,截面呈圆形或多边形,间隔设置在所述豁口内。

4.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述铜框架二包括连接成整体的芯片连接部和引脚连接部;

所述芯片固定设置在所述芯片连接部上;

所述引脚一通过锡膏固定连接在所述引脚连接部上。

5.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,还包括与所述陶瓷层固定连接的铜框架三;

所述铜框架二上设有与所述铜框架三适配的开口;

所述铜框架三与所述铜框架二间隔设置;

所述铜框架三通过若干铝线与所述芯片的一侧连接。

6.根据权利要求5所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,引脚二通过锡膏固定连接在铜框架三上。

7.根据权利要求5所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述铜框架三的厚度与所述铜框架二的厚度相等。

8.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述铜垫块与所述陶瓷层的边缘侧设有间距。

9.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述豁口包括豁口A、豁口B、豁口C和豁口D;

所述铜垫块包括垫块A、垫块B、垫块C和垫块D;

所述垫块A固定设置在所述陶瓷层上,位于豁口A内;

所述垫块B固定设置在所述陶瓷层上,位于豁口B内;

所述垫块C固定设置在所述陶瓷层上,位于豁口C内;

所述垫块D固定设置在所述陶瓷层上,位于豁口D内。

10.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述铜框架二的面积小于陶瓷层的面积。

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