[实用新型]内绝缘封装预防残胶的功率器件有效
申请号: | 202122410102.9 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN215644475U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 郑忠庆;原江伟;傅信强;王毅 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/36 |
代理公司: | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人: | 郭翔 |
地址: | 225008 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 封装 预防 功率 器件 | ||
1.内绝缘封装预防残胶的功率器件,包括依次连接的铜框架一、陶瓷层、铜框架二和芯片;其特征在于,所述铜框架二上设有若干用于提高绝缘性的豁口,所述豁口内设有与所述陶瓷层固定连接的铜垫块;
所述铜垫块的厚度与所述铜框架二的厚度相等。
2.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述铜垫块的截面呈圆角矩形。
3.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述铜垫块设有若干,截面呈圆形或多边形,间隔设置在所述豁口内。
4.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述铜框架二包括连接成整体的芯片连接部和引脚连接部;
所述芯片固定设置在所述芯片连接部上;
所述引脚一通过锡膏固定连接在所述引脚连接部上。
5.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,还包括与所述陶瓷层固定连接的铜框架三;
所述铜框架二上设有与所述铜框架三适配的开口;
所述铜框架三与所述铜框架二间隔设置;
所述铜框架三通过若干铝线与所述芯片的一侧连接。
6.根据权利要求5所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,引脚二通过锡膏固定连接在铜框架三上。
7.根据权利要求5所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述铜框架三的厚度与所述铜框架二的厚度相等。
8.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述铜垫块与所述陶瓷层的边缘侧设有间距。
9.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述豁口包括豁口A、豁口B、豁口C和豁口D;
所述铜垫块包括垫块A、垫块B、垫块C和垫块D;
所述垫块A固定设置在所述陶瓷层上,位于豁口A内;
所述垫块B固定设置在所述陶瓷层上,位于豁口B内;
所述垫块C固定设置在所述陶瓷层上,位于豁口C内;
所述垫块D固定设置在所述陶瓷层上,位于豁口D内。
10.根据权利要求1所述的内绝缘封装预防残胶的功率器件,其特征在于,所述铜框架二的面积小于陶瓷层的面积。
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