[实用新型]一种新型的TFT器件结构

权利要求书

1.一种新型的TFT器件结构，包括玻璃基板（1）、源漏极SD（6），其特征在于：所述玻璃基板（1）上设置有缓冲层（2），所述缓冲层（2）上设有凹槽，所述缓冲层（2）上设置有非透明栅极GE层（3），所述非透明栅极GE层（3）上设置有栅极绝缘层GI（4），所述栅极绝缘层GI（4）上设置有有缘层SE（5），所述源漏极SD（6）设置于有缘层SE（5）或者栅极绝缘层GI（4）上，所述栅极绝缘层GI（4）上还设置有覆盖有缘层SE（5）和源漏极SD（6）的绝缘层PV（7）。

2.根据权利要求1所述的一种新型的TFT器件结构，其特征在于：所述缓冲层（2）的材料为SiOx，所述绝缘层PV（7）的材料为SiOx或SiNx。

3.根据权利要求1所述的一种新型的TFT器件结构，其特征在于：所述非透明栅极GE层（3）的材料为金属，所述金属为铝、钼、钛、镍或者铜。

4.根据权利要求1所述的一种新型的TFT器件结构，其特征在于：所述栅极绝缘层GI（4）的材料为SiOx或SiNx。