[实用新型]一种新型的TFT器件结构

说明书

本实用新型公开了一种新型的TFT器件结构，包括玻璃基板、源漏极SD，所述玻璃基板上设置有缓冲层，所述缓冲层上设有凹槽，所述缓冲层上设置有非透明栅极GE层，所述非透明栅极GE层上设置有栅极绝缘层GI，所述栅极绝缘层GI上设置有有缘层SE，所述源漏极SD设置于有缘层SE或者栅极绝缘层GI上，所述栅极绝缘层GI上还设置有覆盖有缘层SE和源漏极SD的绝缘层PV。本实用新型通过在玻璃基板上增加一层带有凹槽设计的缓冲层，在不改变器件Chanel Width和Length的情况下，依靠凹槽的侧边所增加的长度来减小TFT结构器件在Panel中的占比面积，从而达到高分辨率、窄边框的显示屏设计目的。

技术领域

本实用新型涉及TFT器件技术领域，具体为一种新型的TFT器件结构。

背景技术

目前非晶态金属氧化物半导体发展迅速。其中，非晶InGaZnO(IGZO)凭借其简单的制备工艺以及优异的光电学性能而成为TFT制备的理想材料，以其制备的TFT有着高迁移率、高开关比等特点，具有替代a-Si的潜力。较a-Si TFT相比，IGZO-TFT的载流子迁移率可以达到10-30cm²/V·S，大大提高TFT对像素电极的充放电效率和响应速度。更为重要的是，IGZO制程和现有的a-Si生产线具有很好的兼容性，较生产工艺更为复杂、设备投资更高的低温多晶硅(LTPS)具有更低的投资成本。

现有的IGZO TFT器件较LTPS具有更为优越的Ioff，电路设计时像素TFT只需单栅极即可避免器件漏电的问题。但由于IGZO迁移率(10-30cm²/V·s)要小于LTPS(60-120cm²/V·s)，因此，在驱动设计上，为满足实际电路驱动需求，往往IGZO TFT设计尺寸需大于LTPS。然而现有的市场主流趋势为追求更高分辨率的显示屏设计，故原有的TFT器件尺寸设计的大小较难满足现有需求，特别是在一些以窄边框为目的的GIP及Demux的大W/L电路设计中，并且每个TFT器件W/L的设计规格均是按严格要求模拟得来的，随意的变更更多是影响器件Ion和Vth，进而影响面板的显示效果。

现阶段随着市场LCD显示屏窄边框需求趋势明显，且低成本、高分辨率IGZO面板逐渐成为开发的热点，但随着分辨率的提升，source信号线数量的增多和下边框斜配线区域占用空间的增大，却进一步限制了电路设计的范围。因此，在不改变器件Chanel Width和Length的情况下，如何缩小TFT器件尺寸成为了技术关键。为此，我们推出一种新型的TFT器件结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型的TFT器件结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型的TFT器件结构，包括玻璃基板、源漏极SD，所述玻璃基板上设置有缓冲层，所述缓冲层上设有凹槽，所述缓冲层上设置有非透明栅极GE层，所述非透明栅极GE层上设置有栅极绝缘层GI，所述栅极绝缘层GI上设置有有缘层SE，所述源漏极SD设置于有缘层SE或者栅极绝缘层GI上，所述栅极绝缘层GI上还设置有覆盖有缘层SE和源漏极SD的绝缘层PV。

玻璃基板：TFT侧的素玻璃，其上依序形成TFT等有源器件；

缓冲层：通常选用SiOx，不仅可应用于平坦化玻璃表面，且在特定区域Pattern出对应的凹槽形状；

非透明栅极GE层：Metal1金属层，具有低电阻率，可选用铝/钼/钛/镍/铜/等导电性优良金属以及合金，此处以Mo/Al/Mo为例；

栅极绝缘层GI：具有较大介电常数的绝缘层，此设计方案可选SiOx或SiNx；

有缘层SE：TFT器件半导体层，如a-Si、MOx和LTPS等，此设计方案可选IGZO；

源漏极SD：Metal2金属层，此处以Mo/Al/Mo为例；