[实用新型]半导体器件引线框架及半导体器件有效

专利信息
申请号: 202122466334.6 申请日: 2021-10-13
公开(公告)号: CN215911424U 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 夏大权;马鹏;余镇;周玉凤;徐向涛;马红强;王兴龙;李述洲 申请(专利权)人: 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 张博
地址: 405200 重庆市梁平*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 引线 框架
【说明书】:

实用新型提供一种半导体器件引线框架及半导体器件,半导体器件引线框架包括:框架本体以及沿其长度方向排布于框架本体上的多个框架单元,各个框架单元呈单排排列,框架单元包括基岛及连接于基岛底端的管脚组件,管脚组件包括并排布置的多个管脚,基岛与管脚之间设置有电连接的管脚部,基岛上表面设置有基岛网格,管脚部背面设置有管脚网格。本实用新型通过单排式排列的多个框架单元,每个框架单元对应一个模块的封装,能够同时实现多个模块封装,可有效提高生产效率、原材料的利用率和降低生产成本;并且,半导体器件引线框架具有较佳的抗冲击能力以及优越的性能,能够提高封装器件的散热效果。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域,特别是涉及一种半导体器件引线框架及半导体器件。

背景技术

功率半导体器件主要应用于新能源汽车、服务器电源、BMS、开关电源、逆变器等领域,其具有很大的发展空间,同时碳化硅材料、氮化镓材料及先进封装技术也在蓬勃发展中。

目前功率半导体器件普遍采用薄外型封装(TO型封装),如TO-220、TO-251、TO-263等封装,它们主要应用于中低压领域。在中高压应用领域中,TO-247封装占主导地位,其基岛与TO-220、TO-251、TO-263等封装相比,具有更大的基岛,能够封装更大面积和更大功率的芯片。

然而,TO-247框架的基岛部分面积只占总面积的二分之一,安装孔也占据了一大部分,降低了芯片的安装面积,不能将框架的面积充分利用。TO-247管脚宽度较窄,塑封后的产品管脚与塑封料之间容易发生变形,导致产品的抗冲击能力降低;TO-247封装属于通孔插件封装,其散热需要单独增加散热片,其散热效果没有SMT封装器件效果好;TO-247封装出来的产品还存在较高的封装电感和封装电阻,会增加器件的开关损耗和导通损耗,影响产品的整体性能。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种半导体器件引线框架及半导体器件,用于解决现有技术中引线框架抗冲击能力差、封装电感和封装电阻较高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种半导体器件引线框架,包括:框架本体以及沿其长度方向排布于框架本体上的多个框架单元,各个所述框架单元呈单排排列,所述框架单元包括基岛及独立设置于基岛底端的管脚组件,所述管脚组件包括并排布置的多个管脚,所述管脚靠近基岛的一端设置有管脚部,所述基岛的上表面设置有基岛网格,所述管脚部的背面设置有管脚网格。

可选地,每个所述框架单元中的管脚数量为4个,各个所述管脚沿横向均匀分布,且各个所述管脚的尺寸相同。

可选地,每个所述框架单元中各个管脚部之间相互独立、或者两个相邻管脚部连接、或者三个相邻管脚部连接。

可选地,所述基岛网格的深度与管脚网格的深度相同,所述基岛网格的尺寸大于管脚网格的尺寸。

可选地,所述基岛与管脚分别位于不同的平面,所述基岛所在平面与管脚所在平面之间具有高度差。

可选地,所述基岛的上表面沿其内边沿设置有防溢槽,所述防溢槽沿垂直于基岛平面的横截面呈U形。

可选地,所述基岛的顶端与框架本体之间设置有连接部,所述连接部上开设有第一锁胶孔,所述第一锁胶孔包括椭圆孔;所述管脚部的底端与管脚之间设置有第二锁胶孔,所述第二锁胶孔包括圆形孔。

可选地,所述管脚部的底端与管脚之间设置有锁胶槽,所述锁胶槽沿垂直于基岛平面的横截面呈V形。

可选地,所述框架本体的背面沿四周设置有梯台部,所述梯台部呈Z形。

本实用新型还提供了一种半导体器件,包括:

如上所述的引线框架;以及

芯片,贴装于所述基岛上,所述芯片与对应的所述管脚组件电连接。

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