[实用新型]一种瓷介电容器有效
| 申请号： | 202122470076.9 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN216849662U | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 欧建伟;白清新;李际勇;王维;黄靖文 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/005;H01G4/002 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈旭红;晏静文 |
| 地址： | 526000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容器 | ||
1.一种瓷介电容器，其特征在于，包括：金属电极和瓷介芯片；
所述瓷介芯片包括瓷介芯片的正面和瓷介芯片的背面，在至少一个瓷介芯片的正面和/或瓷介芯片的背面设置有凹槽；
所述金属电极设置在所述瓷介芯片的正面和/或所述瓷介芯片的背面，所述金属电极的宽度小于所述瓷介芯片的正面和所述瓷介芯片的背面的宽度；
所述金属电极设置在所述瓷介芯片的正面的留边宽度与所述金属电极设置在所述瓷介芯片的背面的留边宽度相同。
2.根据权利要求1所述的瓷介电容器，其特征在于，所述金属电极设置在所述凹槽处，所述金属电极的宽度与所述凹槽的宽度相等。
3.根据权利要求1所述的瓷介电容器，其特征在于，所述金属电极设置在所述瓷介芯片的正面或所述瓷介芯片的背面的留边宽度大于0，且小于所述瓷介芯片的背面或所述瓷介芯片的正面的宽度。
4.根据权利要求1所述的瓷介电容器，其特征在于，所述设置在瓷介芯片上的凹槽的深度大于0，且小于所述瓷介芯片的厚度。
5.根据权利要求1所述的瓷介电容器，其特征在于，还包括包封层，所述包封层包封在所述金属电极和瓷介芯片的外部。
6.根据权利要求5所述的瓷介电容器，其特征在于，所述包封层的材质为环氧树脂。
7.根据权利要求5所述的瓷介电容器，其特征在于，还包括引线，所述引线焊接在所述金属电极上，并通过所述包封层引出。
8.根据权利要求7所述的瓷介电容器，其特征在于，所述引线为直线引线或弯脚引线。
9.根据权利要求1-8任一项所述的瓷介电容器，其特征在于，所述瓷介芯片的形状包括：圆柱体、纺锤体、长方体和哑铃型。
10.根据权利要求1-8任一项所述的瓷介电容器，其特征在于，所述凹槽的形状包括U型和圆弧形。
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