[实用新型]一种多段加热单端元件底座结构有效
| 申请号： | 202122474894.6 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN216749810U | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 马尚忠;罗欣;毛成;鲁继浩 | 申请（专利权）人： | 江苏欧展科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225816 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 加热 元件 底座 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种多段加热单端元件底座结构，包括底座，其特征在于，所述底座侧面圆周开设有外圆槽口(1)并有三个，所述底座一侧开设有限位沉孔(4)，所述限位沉孔(4)底部设置有限位底面(3)，所述限位底面(3)开设有贯穿的穿线孔(2)。
2.根据权利要求1所述的一种多段加热单端元件底座结构，其特征在于，三个所述外圆槽口(1)均匀分布于底座侧面。
3.根据权利要求2所述的一种多段加热单端元件底座结构，其特征在于，所述穿线孔(2)有两个并均匀分布于限位底面(3)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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