[实用新型]微机电结构及其MEMS麦克风有效
申请号: | 202122493606.1 | 申请日: | 2021-10-15 |
公开(公告)号: | CN215935099U | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 荣根兰;孙恺;孟燕子;胡维 | 申请(专利权)人: | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 刘静 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 结构 及其 mems 麦克风 | ||
本申请提供了一种微机电结构及其MEMS麦克风,微机电结构包括背极板;振膜,位于所述背极板的一侧,与所述背极板构成可变电容,所述振膜包括多个第一通孔以及分别与所述第一通孔对应的泄气结构,其中,所述振膜还包括一个或多个贯穿所述振膜的第二通孔。本申请提供的微机电结构及其微机电结构,通过在振膜中心区域形成第二通孔,以及在第二通孔的四周形成第一通孔和泄气结构,这样在ESD放电过程中,大气压可以通过第二通孔快速泄气,而四周的第一通孔和泄气结构也能够帮助泄气,从而达到提升ESD可靠性的目的。
技术领域
本实用新型涉及半导体器件制造技术领域,特别涉及一种微机电结构及其MEMS麦克风。
背景技术
在传统麦克风结构中,为了提升产品的ESD可靠性,通常会从封装角度上做改善,比如在PCB上通过埋容、埋阻改变ESD过程中放电通路,这会在一定程度上增加很多成本,另外,会从MEMS角度上做改善,在振膜上设置多孔泄气结构,例如申请号为202021770513.8的实用新型专利中,公开了在振膜上的通孔中设置与振膜分离的可动结构用于泄气,但是这样会导致产品低频频响较差;为了改善频响性能,通常是将振膜上的泄气孔改为泄气槽结构,这通常会导致ESD可靠性失效,因为ESD放电过程中,空气电离产生爆破,气流主要是通过音孔集中做用在振膜中间区域,而中心区域没有泄气通道及时泄气,从而导致振膜膜破失效。
本申请提供了一种微机电结构及其MEMS麦克风,在申请号为202021770513.8的实用新型专利的基础上对其进行了改进。
实用新型内容
鉴于上述问题,本实用新型的目的在于提供一种微机电结构及其MEMS麦克风,通过在振膜中心区域形成第二通孔,这样在ESD放电过程中,大气压可以通过第二通孔快速泄气,从而达到提升ESD可靠性的目的。
根据本实用新型的一方面,提供一种微机电结构,其特征在于,包括:背极板;振膜,位于所述背极板的一侧,与所述背极板构成可变电容,所述振膜包括多个第一通孔以及分别与所述第一通孔对应的泄气结构,其中,所述振膜还包括一个或多个贯穿所述振膜的第二通孔。
可选地,所述第二通孔分布在以所述振膜的中心为圆心,以中心至边缘二分之一距离为半径的圆区域内。
可选地,所述第一通孔和所述第二通孔的形状为圆形或多边形。
可选地,所述第一通孔位于所述振膜的周边区域。
可选地,还包括:多个连接柱,每个所述连接柱的一端与所述背极板固定连接,另一端与所述泄气结构连接,其中,所述泄气结构与所述振膜分离,所述泄气结构与所述第一通孔之间的间隙用于辅助气体流通。
可选地,所述泄气结构的形状包括圆柱或多棱柱,其中,所述泄气结构的形状与所述第一通孔的形状相匹配。
可选地,所述泄气结构上包括至少一个凹槽和/或至少一个泄气槽,所述至少一个凹槽自所述泄气结构的柱面沿径向向内延伸,并且所述至少一个凹槽贯穿所述泄气结构的顶面与底面;所述至少一个泄气槽贯穿所述泄气结构的顶面与底面。
可选地,还包括:衬底,具有贯穿所述衬底的背腔;第一支撑结构,位于所述振膜与所述衬底之间;第二支撑结构,位于所述背极板与所述振膜之间。
可选地,所述背极板包括:第一背极板和第二背极板,所述振膜位于所述第一背极板和所述第二背极板之间。
可选地,还包括:衬底,具有贯穿所述衬底的背腔;第三支撑结构,位于所述衬底与所述第二背极板之间;第一支撑结构,位于所述振膜与所述第二背极板之间;第二支撑结构,位于所述第一背极板与所述振膜之间。
可选地,所述第一背极板和所述第二背极板分别包括:上背极板和下背极板,以及进声孔,其中,所述进声孔贯穿所述上背极板和所述下背极板。
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