[实用新型]半导体工艺腔室及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺腔室，所述半导体工艺腔室包括腔体和设置在所述腔体中的基座，所述基座用于承载晶圆，其特征在于，所述腔体中还设置有导气板，所述导气板间隔设置在所述基座与所述腔体的顶壁之间，所述导气板、所述腔体的侧壁和所述顶壁围设成一空腔，所述导气板上形成有多个沿厚度方向贯穿所述导气板的导气孔，所述半导体工艺腔室还包括供气组件，所述供气组件用于向所述空腔内提供吹扫气体，以在所述导气板朝向所述基座一侧形成气流层。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔体的内腔形状为轴线沿竖直方向延伸的圆柱形，所述导气板的形状与所述腔体内腔水平截面的形状对应，所述导气板上的导气孔分布在所述导气板中央预设直径的圆形区域内，和/或位于所述导气板轴线的尾气侧且与所述导气板边缘之间的距离小于预设距离的区域内。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述预设直径为100mm，所述预设距离为50mm。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔体内腔的水平截面为矩形，所述导气板的形状与所述腔体内腔水平截面的形状对应，且所述导气板上的导气孔分布在位于所述导气板轴线的尾气侧且位于所述基座在所述导气板上的投影外的区域内。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述导气板上形成有多组所述导气孔，每组中的多个所述导气孔沿由所述腔体的进气侧指向所述腔体的尾气侧的走气方向排列，多组所述导气孔沿垂直于所述走气方向分布且任意相邻两组所述导气孔的边界相接。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，同组中的多个所述导气孔等间隔分布，且同组中相邻两个所述导气孔之间的间隔为所述导气孔直径的4倍。

7.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述导气孔的直径不大于所述导气板的厚度。

8.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔体的顶壁和底壁均透明，所述半导体工艺腔室还包括加热组件，所述加热组件用于由所述腔体的上下两侧透过所述顶壁和所述底壁向所述基座及其上承载的晶圆发射光线。

9.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述基座还用于对其上承载的晶圆进行加热，所述腔体顶壁和底壁均透明，所述顶壁的上方设置有上反射层，所述上反射层用于将通过所述顶壁射出的热辐射反射回所述腔体中，所述底壁的下方设置有下反射层，所述下反射层用于将通过所述底壁射出的热辐射反射回所述腔体中。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备包括权利要求1至9中任意一项所述的半导体工艺腔室。