[实用新型]半导体工艺腔室及半导体工艺设备

说明书

本实用新型提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、供气组件以及设置在腔体中的基座和导气板，导气板间隔设置在基座与腔体的顶壁之间，导气板、腔体的侧壁和顶壁围设成一空腔，导气板上形成有多个沿厚度方向贯穿导气板的导气孔，半导体工艺腔室还包括供气组件，供气组件用于向空腔内提供吹扫气体，以在导气板朝向基座一侧形成气流层。在本实用新型中，供气组件能够向导气板与腔体的顶壁之间提供吹扫气体，使吹扫气体在充满导气板与顶壁之间的间隙后通过导气孔向下逸出，进而在导气板底部形成气垫保护层，阻止反应气体向顶壁及导气板扩散并生长出反应产物，保持顶壁的洁净度，进而降低晶圆表面的颗粒数量。本实用新型还提供一种半导体工艺设备。

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种半导体工艺腔室和一种半导体工艺设备。

背景技术

化学气相沉积硅外延设备是一种利用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)技术在硅基等晶圆表面生长硅薄膜的装置，硅外延的一般实现方式为：控制反应气体流经加热后的晶圆，反应物在晶圆表面发生化学反应生成硅单质，进而在晶圆表面形成一层硅单质薄膜。

然而，通过现有的化学气相沉积硅外延设备对晶圆进行化学气相沉积外延工艺时，常出现晶圆表面颗粒较多、晶圆加热效率低、温场分布不均匀等问题。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，该半导体工艺腔室结构能够保证晶圆表面的洁净度，并提高晶圆加热效率及晶圆表面的温场均匀性。

为实现上述目的，作为本实用新型的一个方面，提供一种半导体工艺腔室，所述半导体工艺腔室包括腔体和设置在所述腔体中的基座，所述基座用于承载晶圆，所述腔体中还设置有导气板，所述导气板间隔设置在所述基座与所述腔体的顶壁之间，所述导气板、所述腔体的侧壁和所述顶壁围设成一空腔，所述导气板上形成有多个沿厚度方向贯穿所述导气板的导气孔，所述半导体工艺腔室还包括供气组件，所述供气组件用于向所述空腔内提供吹扫气体，以在所述导气板朝向所述基座一侧形成气流层。

可选地，所述腔体的内腔形状为轴线沿竖直方向延伸的圆柱形，所述导气板的形状与所述腔体内腔水平截面的形状对应，所述导气板上的导气孔分布在所述导气板中央预设直径的圆形区域内，和/或位于所述导气板轴线的尾气侧且与所述导气板边缘之间的距离小于预设距离的区域内。

可选地，所述预设直径为100mm，所述预设距离为50mm。

可选地，所述腔体内腔的水平截面为矩形，所述导气板的形状与所述腔体内腔水平截面的形状对应，且所述导气板上的导气孔分布在位于所述导气板轴线的尾气侧且位于所述基座在所述导气板上的投影外的区域内。

可选地，所述导气板上形成有多组所述导气孔，每组中的多个所述导气孔沿由所述腔体的进气侧指向所述腔体的尾气侧的走气方向排列，多组所述导气孔沿垂直于所述走气方向分布且任意相邻两组所述导气孔的边界相接。

可选地，同组中的多个所述导气孔等间隔分布，且同组中相邻两个所述导气孔之间的间隔为所述导气孔直径的4倍。

可选地，所述导气孔的直径不大于所述导气板的厚度。

可选地，所述腔体的顶壁和底壁均透明，所述半导体工艺腔室还包括加热组件，所述加热组件用于由所述腔体的上下两侧透过所述顶壁和所述底壁向所述基座及其上承载的晶圆发射光线。

可选地，所述基座还用于对其上承载的晶圆进行加热，所述腔体的顶壁和底壁均透明，所述顶壁的上方设置有上反射层，所述上反射层用于将通过所述顶壁射出的热辐射反射回所述腔体中，所述底壁的下方设置有下反射层，所述下反射层用于将通过所述底壁射出的热辐射反射回所述腔体中。

作为本实用新型的第二个方面，提供一种半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括前面所述的半导体工艺腔室。