[实用新型]用于清洗晶圆的排列式兆声清洗装置有效
申请号: | 202122519276.9 | 申请日: | 2021-10-19 |
公开(公告)号: | CN216262401U | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 徐枭宇;杨渊思 | 申请(专利权)人: | 杭州众硅电子科技有限公司 |
主分类号: | B08B3/12 | 分类号: | B08B3/12;B08B13/00;H01L21/67 |
代理公司: | 杭州凯知专利代理事务所(普通合伙) 33267 | 代理人: | 邵志 |
地址: | 311300 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 清洗 排列 式兆声 装置 | ||
本实用新型公开了一种用于清洗晶圆的排列式兆声清洗装置,包括:清洗槽;第一主动轴和第二主动轴,平行设于清洗槽内,且在驱动单元的驱动下可绕其自身中心线周向旋转;第一主动轴上沿长度方向设有至少两个第一卡槽,第二主动轴上沿长度方向设有至少两个第二卡槽,该第二卡槽与第一卡槽对应设置;多片晶圆分别通过第一卡槽和第二卡槽的配合实现放置,且第一主动轴和第二主动轴被构造为分别位于晶圆的中轴线的两侧;第一主动轴和第二主动轴沿相同方向转动,可摩擦驱动多片晶圆同时转动,以实现清洗。本实用新型清洗槽中可以放置多片晶圆进行同时清洗,在确保同等清洗效率的前提下,最大程度减小了清洗槽的占地面积,确保晶圆清洗的效果一致性。
技术领域
本实用新型属于半导体集成电路芯片制造技术领域,尤其是涉及一种用于清洗晶圆的排列式兆声清洗装置。
背景技术
清洗各工艺单元的功能是去除晶圆上的抛光液残留及其他玷污颗粒,包括三个工艺单元:兆声清洗单元、刷洗单元和干燥单元。其中兆声清洗的原理是由高频交流电源发出高频振荡电流,经换能器转变为机械振动波传入到清洗介质中,从而在液体中产生空化和声波流两种现象,在这两种现象的合力下将附着在晶圆表面的颗粒去除。兆声波清洗对表面损伤较小,可以清除0.2μm以下粒子。
目前存在问题:当前已知有将晶圆放置于清洗槽内,通过分隔板将多片晶圆分开,通过兆声波清洗CN206966220U。此方案中的晶圆在清洗槽中静止,清洗的均匀性和一致性较差。
目前对于化学机械平坦化设备单位时间的出片率要求越来越高,常规的单个槽单片兆声清洗模式的工作效率满足不了清洗需求。为了提高出片率,若放多个单片兆声清洗槽,兆声清洗占的空间太大且传输距离变长,传输效率下降,不能满足生产需求。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型提供一种可以同时清洗多片晶圆,满足更高的出片率,保证清洗的均匀性和一致性的用于清洗晶圆的排列式兆声清洗装置。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:用于清洗晶圆的排列式兆声清洗装置,包括:
清洗槽,内部带有清洗液和兆声发生装置;
第一主动轴和第二主动轴,平行设于清洗槽内,且在驱动单元的驱动下可绕其自身中心线周向旋转;
所述第一主动轴上沿长度方向设有至少两个第一卡槽,所述第二主动轴上沿长度方向设有至少两个第二卡槽,该第二卡槽与第一卡槽对应设置;
多片晶圆分别通过第一卡槽和第二卡槽的配合实现放置,且所述第一主动轴和第二主动轴被构造为分别位于晶圆的中轴线的两侧;
第一主动轴和第二主动轴沿相同方向转动,可摩擦驱动多片晶圆同时转动,以实现清洗。
进一步的,还包括从动轴,其设有至少两个限位槽,该限位槽与第一卡槽、第二卡槽位于同一竖直平面内,晶圆的边缘部分落入限位槽内。
本实用新型的清洗槽中可以放置多片晶圆进行同时清洗,在确保同等清洗效率的前提下,最大程度减小了清洗槽的占地面积,确保晶圆清洗的效果一致性;清洗多片晶圆时,能节约清洗槽中清洗液的用量,降低成本;对于晶圆的转移,可以支持一组机械手同时取放多片晶圆,转移更方便。
进一步的,所述从动轴被构造为位于晶圆的下方,且偏离晶圆的中轴线设置。兆声清洗装置与晶圆5之间的距离相对较短,清洗效果更佳。
进一步的,所述限位槽的内壁与晶圆之间形成间隙。减小晶圆旋转的摩擦阻力,限位槽可以限制晶圆的过度晃动。
进一步的,所述限位槽的侧面与晶圆接触,以带动所述从动轴旋转,从动轴外接转速检测单元以监测晶圆的转速,所述限位槽的底面与晶圆存在间隙。晶圆通过限位槽带动从动轴同步转动,便于监测晶圆的转速;限位槽的底面不与晶圆接触,加工精度降低,便于加工。
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