[实用新型]一种器件封装结构及组件

说明书

本申请提供了一种器件封装结构及组件，涉及器件封装技术领域。该器件封装结构包括散热片、芯片、引脚、第一连接筋以及绑定线，芯片安装于散热片，第一连接筋分别与散热片、引脚连接，芯片与引脚通过绑定线电连接；其中，散热片与引脚间隔设置。本申请提供的器件封装结构及组件具有减小了散热片的占用面积、避免了焊料污染，提升了键合质量及灵活性的效果。

技术领域

本申请涉及器件封装技术领域，具体而言，涉及一种器件封装结构及组件。

背景技术

近年来，随着半导体技术的飞速发展，以及材料生长技术的突破，氮化镓(GaN)作为第三代半导体，已逐渐显示出其优势，二维电子气密度大和饱和电子迁移率高等，基于氮化镓(GaN)的研究也越来越多。同时，GaN HEMT器件在半导体照明、功率器件、微波器件、光伏电池等应用领域也取得了一定的成绩。

作为构成封装器件的主材之一——引线框架扮演着物理结构支撑和电气连接桥梁的重要角色。目前通用的引线框架结构主要包括散热片部和引脚部，散热片是搭载芯片的主体，同时作为芯片与外界环境热量传递的介质，引脚则通过绑定线与芯片的电极实现电气连接。

参考目前常见的功率半导体的封装方法，引线框架通常的设计思路是将其中一极引脚与散热片(即装片基岛)直接相连。这样的设计理念符合芯片电极异面的结构，芯片通过导电胶或银浆贴装于装片基岛上，即意味着与引脚中某一极互连。同时，芯片正面源区通过绑定线与其余引脚相连。以上做法可得到一个完整的电气回路。

然而，以上做法不十分适用于GaN HEMT器件。由于其特殊的电极共面结构，即所有有源区分布于芯片正面。单纯将芯片贴装于框架基岛并不能得到其中某一源区的引脚连接。也就意味着技术人员要对正面所有源区都要进行绑线处理。倘若仍采用散热片与引脚一极直接相连结构的引线框架，则需要将芯片源区中的一极绑定到散热底板上。然而在芯片贴装工序，由于焊料的原因，必然会牺牲一部分底板面积，从而导致键合点的排布更加局限。另外，部分型号的焊料包含助焊剂，在高温烧结过程中，挥发性物质会散发并且附着在底板，在后续生产中如果清洗不净会影响焊线质量，导致虚焊等问题。

综上，现有技术中存在引脚的焊接占用散热底板面积，及焊料污染基岛，键合质量不高的问题。

实用新型内容

本申请的目的在于提供一种器件封装结构及组件，以解决现有技术中存在的焊料污染引脚，键合质量不高的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种器件封装结构，所述器件封装结构包括散热片、芯片、引脚、第一连接筋以及绑定线，所述芯片安装于散热片，所述第一连接筋分别与所述散热片、所述引脚连接，所述芯片与所述引脚通过所述绑定线电连接；其中，

所述散热片与所述引脚间隔设置。

可选地，所述引脚的数量为多个，所述器件封装结构还包括第二连接筋，多个所述引脚通过所述第二连接筋连接。

可选地，所述第二连接筋还与所述第一连接筋连接。

可选地，所述第一连接筋包括横向连接筋与竖向连接筋，所述竖向连接筋的一端与所述散热片的顶部连接，另一端与所述横向连接筋连接；

所述横向连接筋还与所述引脚的底部相连。

可选地，所述竖向连接筋包括第一竖向连接筋与第二竖向连接筋，所述第一竖向连接筋与第二竖向连接筋的第一端分别与所述散热片的两端连接，所述第一竖向连接筋与第二竖向连接筋的第二端分别与所述横向连接筋的两端连接。

可选地，所述绑定线与所述引脚的端部连接。

可选地，当所述引脚与所述散热片位于同一平面时，所述第一连接筋为平直的连接筋；