[实用新型]半导体电路

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，包括电路板和高压集成电路，所述高压集成电路包括电源欠压保护电路、逆变桥驱动电路和报错电路，所述电源欠压保护电路包括欠压检测单元和故障逻辑控制单元，所述欠压检测单元包括二极管、电阻、电容器和比较器，所述二极管、所述电阻和所述电容器组成充电电路，所述充电电路与所述比较器的反向输入端电连接，所述比较器的同向输入端与所述电源电连接，所述比较器的输出端与所述故障逻辑控制单元的输入端电连接，所述故障逻辑控制单元的输出端分别与所述逆变桥驱动电路和所述报错电路电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述电源欠压保护电路还包括第一施密特触发器和第一滤波器，所述第一施密特触发器、所述第一滤波器和所述欠压检测单元依次电连接，所述第一施密特触发器用于对电信号进行波形校正，所述第一滤波器用于滤除所述电信号中的杂波。

3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述电源欠压保护电路还包括第一电阻，所述第一电阻的一端与所述电源电连接，所述第一电阻的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述高压集成电路还包括过流保护电路，所述过流保护电路包括依次电连接的第二施密特触发器、第二滤波器和第一电平转换器，所述第一电平转换器还与所述故障逻辑控制单元电连接，所述第二施密特触发器用于对电信号进行波形校正，所述第二滤波器用于滤除所述电信号中的杂波。

5.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述过流保护电路还包括第二电阻，所述第二电阻的一端与过流信号检测输入端电连接，所述第二电阻的另一端接地。

6.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述高压集成电路还包括使能端检测电路，所述使能端检测电路包括依次电连接的第三施密特触发器、第三滤波器和第二电平转换器，所述第二电平转换器还与所述故障逻辑控制单元电连接，所述第三施密特触发器用于对电信号进行波形校正，所述第三滤波器用于滤除所述电信号中的杂波。

7.根据权利要求6所述的半导体电路，其特征在于，所述使能端检测电路还包括第三电阻，所述第三电阻的一端与使能输入端电连接，所述第三电阻的另一端接地。

8.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述报错电路包括MOS管，所述MOS管的栅极与所述逻辑控制单元的信号输出端电连接，所述MOS管的漏极与故障保护输出端电连接，所述MOS管的源极接地。

9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体电路，其特征在于，所述充电电路的充电公式为：

V_t＝V₀+(V_u-V₀)[1-exp(-t/RC)]

其中，所述V_t为任意时刻所述电容器两端的电压值，所述V_u为所述电容器充满时的电压值，所述V₀为所述电容器两端的初始电压值，所述R为所述电阻的阻值，所述C为所述电容器的电容值。