[实用新型]半导体电路有效
申请号: | 202122577233.6 | 申请日: | 2021-10-25 |
公开(公告)号: | CN216290164U | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 冯宇翔;左安超;潘志坚;张土明;谢荣才;黄浩 | 申请(专利权)人: | 广东汇芯半导体有限公司 |
主分类号: | H02H3/24 | 分类号: | H02H3/24;H02H7/20 |
代理公司: | 深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙) 44426 | 代理人: | 隆毅 |
地址: | 528000 广东省佛山市南海区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 电路 | ||
本实用新型公开一种半导体电路,包括电路板和高压集成电路,高压集成电路包括电源欠压保护电路、逆变桥驱动电路和报错电路,电源欠压保护电路包括欠压检测单元和故障逻辑控制单元,欠压检测单元包括二极管、电阻、电容器和比较器,二极管、电阻和电容器组成充电电路,充电电路与比较器的反向输入端电连接,比较器的同向输入端与电源电连接,比较器的输出端与故障逻辑控制单元的输入端电连接,故障逻辑控制单元的输出端分别与逆变桥驱动电路和报错电路电连接。本实用新型所提出的半导体电路,可实现欠压保护电压根据工作时长上升,刚开始工作时,欠压保护电压低,工作稳定后欠压保护电压升高。
技术领域
本实用新型涉及功率半导体领域,特别涉及一种半导体电路。
背景技术
半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品,兼有GTR(大功率晶体管)高电流、低饱和电压和高耐压的优点,以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。半导体电路内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路,使用起来方便,不仅减小了体积,缩短了开发时间,也增强了可靠性,适应了当今功率器件的发展方向。
半导体电路包括高压集成电路,即HVIC,是一种把MCU信号转换成驱动IGBT信号的集成电路产品。HVIC把PMOS管、NMOS管、三极管、二极管、稳压管、电阻、电容集成在一起,形成斯密特、低压LEVELSHIFT、高压LEVELSHIFT、脉冲发生电路、延时电路、滤波电路、过电流保护电路和过热保护电路、欠压保护电路、自举电路等电路。HVIC一方面接收MCU的控制信号,驱动后续IGBT或MOS工作,另一方面将系统的状态检测信号送回MCU。
HVIC应用时,如其电源VCC均与其它电子元器件共用,在系统逐步启动,未运行稳定时,难免出现VCC波动,触发智能功率模块欠压保护,从而导致系统启动失败。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提出一种半导体电路,旨在解决上述背景技术中所提出的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型提出一种半导体电路,所述半导体电路包括电路板和高压集成电路,所述高压集成电路包括电源欠压保护电路、逆变桥驱动电路和报错电路,所述电源欠压保护电路包括欠压检测单元和故障逻辑控制单元,所述欠压检测单元包括二极管、电阻、电容器和比较器,所述二极管、所述电阻和所述电容器组成充电电路,所述充电电路与所述比较器的反向输入端电连接,所述比较器的同向输入端与所述电源电连接,所述比较器的输出端与所述故障逻辑控制单元的输入端电连接,所述故障逻辑控制单元的输出端分别与所述逆变桥驱动电路和所述报错电路电连接。
优选地,所述电源欠压保护电路还包括第一施密特触发器和第一滤波器,所述第一施密特触发器、所述第一滤波器和所述欠压检测单元依次电连接,所述第一施密特触发器用于对电信号进行波形校正,所述第一滤波器用于滤除所述电信号中的杂波。
优选地,所述电源欠压保护电路还包括第一电阻,所述第一电阻的一端与所述电源电连接,所述第一电阻的另一端接地。
优选地,所述高压集成电路还包括过流保护电路,所述过流保护电路包括依次电连接的第二施密特触发器、第二滤波器和第一电平转换器,所述第一电平转换器还与所述故障逻辑控制单元电连接,所述第二施密特触发器用于对电信号进行波形校正,所述第二滤波器用于滤除所述电信号中的杂波。
优选地,所述过流保护电路还包括第二电阻,所述第二电阻的一端与过流信号检测输入端电连接,所述第二电阻的另一端接地。
优选地,所述高压集成电路还包括使能端检测电路,所述使能端检测电路包括依次电连接的第三施密特触发器、第三滤波器和第二电平转换器,所述第二电平转换器还与所述故障逻辑控制单元电连接,所述第三施密特触发器用于对电信号进行波形校正,所述第三滤波器用于滤除所述电信号中的杂波。
优选地,所述使能端检测电路还包括第三电阻,所述第三电阻的一端与使能输入端电连接,所述第三电阻的另一端接地。
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