[实用新型]一种晶圆棒外壁打磨装置

说明书

一种晶圆棒外壁打磨装置，包括打磨机构，打磨机构的两端设有一对夹持机构，打磨机构用于晶圆棒外壁的打磨操作，夹持机构用于晶圆棒两端的夹持，本实用新型在进行晶圆加工时，方便对晶圆棒的外壁进行打磨，在打磨时能够确保晶圆棒的圆度，同时还能有效地提高晶圆棒的打磨效率，同时在打磨时能地晶圆棒的两端进行稳定的夹持，从而方便进行晶圆棒的打磨操作，具有较强的实用性。

技术领域

本实用新型涉及芯片加工设备相关技术领域，尤其涉及一种晶圆棒外壁打磨装置。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。

一般地常见的硅晶圆生产过程包括：硅提炼及提纯、单晶硅生长以及晶圆成型，其中，硅的提纯是第一道工序，需将沙石原料放入一个温度超过两千摄氏度的并有碳源的电弧熔炉中，在高温下发生还原反应得到冶金级硅，然后将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅。一般地常用的是直拉法，高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约一千多摄氏度，炉中的空气通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅，还需要控制晶体的方向，坩埚带着多晶硅熔化物在旋转，把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。

而通过直拉法制备而成的晶圆棒其外壁粗糙程度较大，而为了方便后续晶圆盘的分切以及磨边操作，常需要对晶圆棒的外壁进行打磨，而现有的打磨常通过转动的磨盘进行打磨，这种打磨方式效率较低，且打磨效果较差，从而对晶圆的后续加工造成了一定影响。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶圆棒外壁打磨装置，以解决上述现有技术的不足，在进行晶圆加工时，方便对晶圆棒的外壁进行打磨，在打磨时能够确保晶圆棒的圆度，同时还能有效地提高晶圆棒的打磨效率，同时在打磨时能地晶圆棒的两端进行稳定的夹持，从而方便进行晶圆棒的打磨操作，具有较强的实用性。

为了实现本实用新型的目的，拟采用以下技术：

一种晶圆棒外壁打磨装置，包括打磨机构，打磨机构的两端设有一对夹持机构，打磨机构用于晶圆棒外壁的打磨操作，夹持机构用于晶圆棒两端的夹持；

打磨机构包括长条底板，长条底板开设有运动孔，长条底板的下壁两端均安装有调节轴承座，调节轴承座之间设有多根调节导杆，其中一个调节轴承座安装有调节电机，调节电机的输出轴连接有调节丝杆，调节丝杆设有调节座，调节座上端设有下限板，调节座的上端穿于运动孔，调节座的上端设有上板，上板上端设有一对转动套环，转动套环内设有转动环，转动环的外壁设有从动齿环，从动齿环啮合有驱动齿轮，驱动齿轮两端均设有驱动轴承座，驱动轴承座均安装于转动套环，驱动齿轮连接有驱动电机，转动环内壁呈圆周阵列地设有打磨构件。

进一步地，打磨构件包括安装于转动环内壁的凸台，凸台的两端均安装有调节端座，调节端座均设有内顶丝杆，内顶丝杆的外侧端均设有转动盘，每对内顶丝杆的内侧端均设有打磨件。

进一步地，打磨件的内壁呈内凹弧形状。

进一步地，夹持机构包括安装于长条底板外侧端的外伸底板，外伸底板成形有调节孔，外伸底板上壁安装有一对内推轴承座，内推轴承座之间设有内推丝杆，内推丝杆的一端连接有内推电机，内推丝杆设有内推座，内推座向内延伸地设有一对内推板，内推板穿于位于内侧的内推轴承座，内推板的内侧端安装有内推安装板，内推安装板安装有夹持构件。

进一步地，夹持构件包括安装于内推安装板的夹持矩形板，夹持矩形板外壁安装有一对夹持轴承座，夹持轴承座之间设有两端螺纹旋向相反的夹持螺杆，夹持螺杆的上端设有转盘，夹持轴承座之间设有夹持导板，夹持螺杆的上下两端均设有夹持座，夹持座均穿于夹持矩形板，夹持座的另一端均设有夹持V形件。