[实用新型]一种带释放热应力围坝的陶瓷基板有效

专利信息
申请号: 202122597177.2 申请日: 2021-10-27
公开(公告)号: CN216218446U 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 袁广;罗素扑;黄嘉铧;陈志敏 申请(专利权)人: 惠州市芯瓷半导体有限公司
主分类号: H05K7/20 分类号: H05K7/20
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 范小艳;徐勋夫
地址: 516000 广东省惠州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 释放 应力 陶瓷
【说明书】:

实用新型公开一种带释放热应力围坝的陶瓷基板,包括陶瓷基板,所述陶瓷基板的上表面设置有上线路层,所述陶瓷基板的下表面设置有下线路层,所述上线路层上堆叠设置有若干围坝层,若干围坝层为封闭环形结构,若干围坝层堆叠构形成围坝,其中,若干围坝层的外环宽度由上至下逐渐减小设置,所述围坝的外侧面形成阶梯状结构,所述围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成用于释放热应力的避让槽。该带释放热应力围坝的陶瓷基板通过于围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成释放热应力的避让槽,固晶后围坝产生的热膨胀应力通过避让槽被释放,减少陶瓷基板与围坝之间的膨胀应力,防止陶瓷基板因为围坝的热膨胀应力过大而被拉裂。

技术领域

本实用新型涉及陶瓷基板领域技术,尤其是指一种带释放热应力围坝的陶瓷基板。

背景技术

良好的器件散热能力依赖于优化的散热结构设计、封装材料选择及封装制造工艺等。陶瓷基板由于其良好的导热性、耐热性、绝缘性、低热膨胀系数和成本的不断降低,在电子封装特别是功率电子器件如绝缘栅双极晶体管、激光二极管、发光二极管、聚焦型光伏封装中的应用越来越广泛。

现有的DPC陶瓷围坝板一般为直镀形3D的DPC陶瓷围坝板,即:直接在陶瓷基板的线路层上做垂直围坝。然而,单个陶瓷基板上的垂直围坝尺寸太小,围坝成型后与陶瓷基板粘贴容易产生以下问题:垂直围坝无法进行铣削、铣削成型后的围坝与陶瓷基板可能不对位、由于垂直围坝的外侧面焊接面积小而造成焊接部件容易脱落。加之,直镀形3D的DPC陶瓷围坝板的围坝为镀铜材质的垂直结构,DPC陶瓷围坝板经过后续的固晶加工后,陶瓷基板会因为垂直围坝的外侧垂直铜层的热膨胀应力过大而被拉裂变形,导致无法通过冷热冲击循坏测试。

因此,需要研究一种新的技术方案来解决上述问题。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种带释放热应力围坝的陶瓷基板,其通过于围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成释放热应力的避让槽,固晶后围坝产生的热膨胀应力通过避让槽被释放,减少陶瓷基板与围坝之间的膨胀应力,防止陶瓷基板因为围坝的热膨胀应力过大而被拉裂。

为实现上述目的,本实用新型采用如下之技术方案:

一种带释放热应力围坝的陶瓷基板,包括陶瓷基板,所述陶瓷基板的上表面设置有上线路层,所述陶瓷基板的下表面设置有下线路层,所述上线路层上堆叠设置有若干围坝层,若干围坝层为封闭环形结构,若干围坝层堆叠形成围坝,若干围坝层的外环宽度由上至下逐渐减小设置,所述围坝的外侧面形成阶梯状结构,所述围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成用于释放热应力的避让槽。

作为一种优选方案,所述围坝的内侧面与上线路层的上表面相互垂直设置。

作为一种优选方案,所述围坝层设置有两层以上。

作为一种优选方案,所述围坝层为金属材质。

作为一种优选方案,所述围坝层为铜材质。

作为一种优选方案,所述陶瓷基板的基材为氮化铝陶瓷或氧化铝陶瓷或氮化硅陶瓷或铝硅碳陶瓷。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果,具体而言,由上述技术方案可知,其主要是带释放热应力围坝的陶瓷基板采用若干围坝层的外环宽度由上至下逐渐减小设置,若干围坝层叠设构形成围坝,围坝的外侧面形成阶梯状结构,使得:围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成释放热应力的避让槽,固晶后围坝产生的热膨胀应力通过避让槽被释放,减少陶瓷基板与围坝之间的膨胀应力,防止陶瓷基板因为围坝的热膨胀应力过大而被拉裂;其结构简单、易于生产。

同时,顶部的围坝层设计得相对较大,可以增加后续焊接部件(例如透镜、盖板)的焊接面积,降低焊接部件脱落的风险。由于围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成避让槽,在组装透镜或盖板时可以巧妙利用避让槽作为扣位,提高透镜或盖板的组装稳固性。

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