[实用新型]半导体电路

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，包括：

第一支撑件，所述第一支撑件上设置有第一电路层，所述第一电路层上设置有第一安装区和第二安装区；所述第一安装区用于安装功率元件；

连接件，所述连接件的第一端面安装在所述第二安装区，且所述连接件与所述第一电路层电性连接；

第二支撑件，所述第二支撑件的第一侧面设置有第二电路层，所述第二电路层包括第三安装区；所述第二支撑件的与第一侧面相对的第二侧面设置有第四安装区，所述连接件的与第一端面相对的第二端面安装在所述第四安装区，且所述连接件与所述第二电路层电性连接；所述第三安装区用于安装非功率元件；

多个引脚，多个所述引脚划分为第一引脚组件和第二引脚组件；所述第一引脚组件的第一端与所述第一电路层电性连接；所述第二引脚组件的第二端与所述第二电路层或所述第一电路层电性连接；

密封本体，所述密封本体至少包裹设置所述第一电路层的第一支撑件的一表面、所述连接件、设置所述第二电路层的第二支撑件，所述第一引脚组件的第二端和所述第二引脚组件的第二端分别从所述密封本体露出。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述功率元件包括IGBT、FRD和MOSFET；所述非功率元件包括驱动芯片、电阻和电容。

3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述半导体电路还包括引线框架；所述引线框架包括所述第一引脚组件、所述第二引脚组件、第一框架板和第二框架板；所述第一框架板的第一侧面与所述第一引脚组件的第一端电性连接，所述第二框架板的第一侧面与所述第二引脚组件的第一端电性连接。

4.根据权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述第一支撑件包括散热基板、所述第一框架板和所述第二框架板；所述第二支撑件包括电路基板；

所述散热基板上设置有所述第一电路层，所述第一电路层包括所述第一安装区和第五安装区；所述第一框架板的第一侧面和所述第二框架板的第一侧面设置有所述第二安装区；所述第一框架板的第二侧面和所述第二框架板的第二侧面安装在所述第五安装区，所述第一框架板和所述第二框架板分别与所述第一电路层电性连接；

所述电路基板的第一侧面设置有所述第二电路层；所述电路基板的与第一侧面相对的第二侧面设置有所述第四安装区。

5.根据权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述第一支撑件包括散热基板和所述第一框架板；所述第二支撑件包括第一延伸板和所述第二框架板；

所述散热基板上设置有所述第一电路层，所述第一电路层包括所述第一安装区、所述第二安装区和第五安装区；所述第一框架板的第二侧面安装在所述第五安装区，且所述第一框架板与所述第一电路层电性连接；

所述第二框架板的第二侧面设置有所述第四安装区；所述第一延伸板设于所述散热基板上方，且所述第一延伸板与所述第二框架板电性连接；所述第一延伸板上设置有所述第二电路层。

6.根据权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述第一支撑件包括散热基板、第二延伸板和所述第一框架板；所述第二支撑件包括第一延伸板和所述第二框架板；

所述散热基板上设置有所述第二延伸板；所述第二延伸板上设置有所述第一电路层；所述第一电路层包括所述第一安装区和所述第二安装区；所述第一框架板与所述第二延伸板电性连接；

所述第二框架板的第二侧面设置有所述第四安装区；所述第一延伸板设于所述第二延伸板上方，且所述第一延伸板与所述第二框架板电性连接；所述第一延伸板上设置有所述第二电路层。

7.根据权利要求4-6任意一项所述的半导体电路，其特征在于，所述散热基板为IMS散热基板、DBC散热基板或铜环氧树脂基板。

8.根据权利要求7所述的半导体电路，其特征在于，所述IGBT的栅极和所述MOSFET的栅极分别采用第一线宽的键合线键合到所述第一安装区；所述IGBT的发射极、所述MOSFET的漏极和所述FRD的阳极分别采用第二线宽的键合线键合到所述第一安装区；所述第一线宽小于所述第二线宽。

9.根据权利要求6所述的半导体电路，其特征在于，所述第一引脚组件、所述第一框架板和所述第二延伸板为一体成型结构；所述第二引脚组件、所述第二框架板和所述第一延伸板为一体成型结构。