[实用新型]集成无源器件的结构

权利要求书

1.一种集成无源器件的结构，包括：衬底层；其特征在于，还包括：

第一导电层，设置于所述衬底层上；

第二导电层，部分覆盖于所述第一导电层上，以形成非电感元器件的接电区，部分覆盖于所述衬底层的上表面以形成电感线圈部；

介电层，用于形成绝缘层，其设置于所述衬底层和所述第一导电层上，以覆盖所述第二导电层，并且至少有部分未覆盖所述接电区和所述电感线圈部的上表面的待连接区域。

2.如权利要求1所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述介电层的厚度大于所述第二导电层的厚度。

3.如权利要求1所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述介电层包括：旋涂玻璃、聚酰亚胺和环氧树脂中的任意一种材质构成的涂层。

4.如权利要求1所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述电感线圈部的厚度为3～20um。

5.如权利要求1所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述非电感元器件至少包括：电阻部；其中，所述电阻部包括：设置于所述衬底层上的电阻层，设置于所述电阻层上且至少为所述接电区的一部分的电阻导出部。

6.如权利要求1所述的集成无源器件的结构，其特征在于，还包括：第三导电层，部分覆盖于所述介电层的表面，且部分覆盖于所述待连接区域，以形成接触电极，用于连接所述接电区和所述电感线圈部。

7.如权利要求6所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述第三导电层为沉积于所述介电层上的金属镀层；其中，所述第三导电层至少有部分通过图形化处理后形成所述接电区和所述电感线圈部。

8.如权利要求6所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述待连接区域包括：分布于所述接电区上的第一待连接区域；分布于所述电感线圈部上的第二待连接区域；与所述第一待连接区域间隔设置且分布于所述接电区上的第三待连接区域；其中，所述第三导电层至少有部分通过覆盖所述第一待连接区域和所述第二待连接区域，以共同形成第一接触电极，而部分通过覆盖所述第三待连接区域，以形成第二接触电极。

9.如权利要求1至8中任意一项所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述非电感元器件至少包括：电容部；所述电容部包括：用于构成下电极部的所述第一导电层，覆盖于所述第一导电层的上表面的部分区域且被部分所述第二导电层所覆盖的电容介质层，以及覆盖于所述电容介质层上表面且至少为所述接电区的一部分的电容电极区。

10.如权利要求9所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述电容电极区包括：覆盖于所述电容介质层上表面的上电极导出部；覆盖于所述第一导电层上表面的下电极导出部；其中，所述上电极导出部与所述下电极导出部相互隔开，且与所述电感线圈部电连接。

11.如权利要求1所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述衬底层包括：硅、玻璃、陶瓷中任意一种材质所构成的非金属层；其中，所述衬底层的硅阻值大于等于100Ω.cm。

12.如权利要求1所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述第一导电层包括：第一金属层；其中，所述第一金属层的材质为铝，铜，金和银中的任意一种材质；所述第一金属层的厚度为0.5～3um。

13.如权利要求1所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述第二导电层包括：第二金属层；其中，所述第二金属层的材质为金、铜、银和铝中任意一种材质所构成。

14.如权利要求9所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述电容介质层包括：氮化硅、二氧化硅、氧化铪，氧化锆和氧化钽中的任意一种材质；其中，所述电容介质层的厚度范围在