[实用新型]一种MOCVD设备的尾气处理装置

说明书

本实用新型公开了一种MOCVD设备的尾气处理装置，包括密封的装置本体、尾气进口管及尾气出口管，装置本体的内腔被分隔成相对独立的缓冲腔和处理腔，装置本体的外部连接有向处理腔内注液的洗液加注控制系统，处理腔包括三个处理室，分别为依次设置的一级处理室、二级处理室及三级处理室，尾气出口管上安装有排气泵，一级处理室与二级处理室相对独立，二级处理室与三级处理室的底部连通，三个处理室内均设置有多层格栅，每个处理室内的多层格栅的孔径由下至上递减，尾气处理装置还包括连通管Ⅰ、连通管Ⅱ及连通管Ⅲ以及安装在装置本体内且能延伸出装置本体外的排液管。该结构简单，能够有效去除尾气中的有害气体，设备故障率低、安全系数高。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种MOCVD设备的尾气处理装置。

背景技术

金属有机物化学汽相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，简写M0CVD)设备主要用于化合物半导体材料与器件(比如GaAs、InP、GaN、InAs、GaSb等材料)的生长。在进行GaAs、InP基材生长时，会使用到砷烷、磷烷等有害气体，该类气体要求零排放。常规的处理方法为采用吸附式尾气处理器，处理量小，使用周期短，故业界在大量使用砷烷、磷烷时会使用MOCVD设备的尾气处理装置进行尾气处理，该类装置核心点在于气液混合，常规的操作方法是直接采用多次喷淋洗液来去除该类有害气体，而由于喷淋气液接触面有限，故需要多级处理腔进行操作。其带来的隐患是：多次多级操作则会带来装置故障率以及堵塞概率的提升，增大了安全风险及使用成本。如何提供一种安全、有效、成本低的尾气处理装置是本领域技术人员致力于解决的事情。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种MOCVD设备的尾气处理装置。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种MOCVD设备的尾气处理装置，包括密封的装置本体、尾气进口管及尾气出口管，所述装置本体的内腔被分隔成相对独立的缓冲腔和处理腔，所述装置本体的外部连接有向处理腔内注液的洗液加注控制系统，所述处理腔包括三个处理室，分别为依次设置的一级处理室、二级处理室及三级处理室，所述尾气进口管插设在缓冲腔内，所述尾气出口管的一端接入三级处理室内，尾气出口管上安装有排气泵，一级处理室与二级处理室相对独立，二级处理室与三级处理室的底部连通，三个处理室内均设置有多层格栅，每个处理室内的多层格栅的孔径由下至上递减，所述尾气处理装置还包括连通管Ⅰ、连通管Ⅱ及连通管Ⅲ，所述连通管Ⅰ用于将缓冲腔内的尾气导入到一级处理室的洗液中；连通管Ⅱ用于将经一级处理室处理后的尾气导入到二级处理室的洗液中；连通管Ⅲ用于将经二级处理室处理后的尾气导入到三级处理室的洗液中，所述尾气处理装置还包括安装在所述装置本体内且能延伸出装置本体外的排液管，所述缓冲腔、一级处理室、二级处理室及三级处理室的底部均设置有与排液管连通的排液阀。

作为一种具体的实施方式，所述一级处理室、二级处理室及三级处理室中的格栅均为蜂巢状格栅。

作为一种具体的实施方式，所述一级处理室内的格栅有四层，每层格栅的孔径均在5-50mm间，每层格栅的厚度在1-10mm间，上下相邻两层格栅间的间距在10-500mm间，由下至上，四层格栅孔径的递减值范围在1-50mm间。优选地，所述一级处理室内的格栅由下至上，第一层格栅的孔径为50mm，第二次格栅的孔径为40mm，第三层格栅的孔径为30mm，第四层格栅的孔径为20mm。

作为一种具体的实施方式，所述二级处理室和三级处理室内的格栅均有四层，每层格栅的孔径均在1-10mm间，每层格栅的厚度在1-10mm间，上下相邻两层格栅间的间距在10-500mm，由下至上，四层格栅孔径的递减值范围在1-5mm。

作为一种具体的实施方式，所述缓冲腔、一级处理室、二级处理室及三级处理室的底部均呈V型槽结构。