[实用新型]一种并联MOS管的均衡保护装置有效

专利信息
申请号: 202122784428.8 申请日: 2021-11-15
公开(公告)号: CN216721162U 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 李有财;邓秉杰;孔腾;王伟平 申请(专利权)人: 福建星云电子股份有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M1/00;H02M1/32;H02M3/156
代理公司: 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 代理人: 宋连梅
地址: 350000 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 并联 mos 均衡 保护装置
【权利要求书】:

1.一种并联MOS管的均衡保护装置,其特征在于:包括一MOS开关电路、一取样电路、一控制比较电路、一驱动电路以及一限流电路;

所述MOS开关电路的一端与驱动电路以及限流电路连接,另一端与取样电路连接;所述控制比较电路的一端与取样电路以及MOS开关电路连接,另一端与驱动电路连接。

2.如权利要求1所述的一种并联MOS管的均衡保护装置,其特征在于:所述MOS开关电路包括一MOS管Q1、一MOS管Q2、一MOS管Q3以及一MOS管Q4;

所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3以及MOS管Q4的漏极相互连接,栅极均与限流电路以及驱动电路连接,源极均与取样电路连接。

3.如权利要求2所述的一种并联MOS管的均衡保护装置,其特征在于:所述取样电路包括一电阻R5、一电阻R6、一电阻R7、一电阻R8、一电阻R9、一电阻R10、一电阻R11以及一电阻R12;

所述电阻R5与电阻R6并联后,一端与控制比较电路以及MOS管Q1的源极连接,另一端接地;所述电阻R7与电阻R8并联后,一端与控制比较电路以及MOS管Q2的源极连接,另一端接地;所述电阻R9与电阻R10并联后,一端与控制比较电路以及MOS管Q3的源极连接,另一端接地;所述电阻R11与电阻R12并联后,一端与控制比较电路以及MOS管Q4的源极连接,另一端接地。

4.如权利要求3所述的一种并联MOS管的均衡保护装置,其特征在于:所述控制比较电路包括一运放U1A、一运放U1B、一运放U1C以及一运放U1D;

所述运放U1A的引脚1与驱动电路连接,引脚5与电阻R5、电阻R6以及MOS管Q1的源极连接;所述运放U1B的引脚2与驱动电路连接,引脚7与电阻R7、电阻R8以及MOS管Q2的源极连接;所述运放U1C的引脚14与驱动电路连接,引脚9与电阻R9、电阻R10以及MOS管Q3的源极连接;所述运放U1D的引脚13与驱动电路连接,引脚11与电阻R11、电阻R12以及MOS管Q4的源极连接。

5.如权利要求4所述的一种并联MOS管的均衡保护装置,其特征在于:所述驱动电路包括一MOS管Q5、一MOS管Q6、一MOS管Q7、一MOS管Q8、一电阻R13、一电阻R14、一电阻R15以及一电阻R16;

所述MOS管Q5的漏极与限流电路以及MOS管Q4的栅极连接,栅极与电阻R13以及运放U1D的引脚13连接,源极与电阻R13连接并接地;所述MOS管Q6的漏极与限流电路以及MOS管Q3的栅极连接,栅极与电阻R14以及运放U1C的引脚14连接,源极与电阻R14连接并接地;所述MOS管Q7的漏极与限流电路以及MOS管Q2的栅极连接,栅极与电阻R15以及运放U1B的引脚2连接,源极与电阻R15连接并接地;所述MOS管Q8的漏极与限流电路以及MOS管Q1的栅极连接,栅极与电阻R16以及运放U1A的引脚1连接,源极与电阻R16连接并接地。

6.如权利要求1所述的一种并联MOS管的均衡保护装置,其特征在于:所述限流电路包括一电阻R1、一电阻R2、一电阻R3以及一电阻R4;

所述电阻R1、电阻R2、电阻R3以及电阻R4的一端相互连接,另一端与MOS开关电路以及驱动电路连接。

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