[实用新型]一种并联MOS管的均衡保护装置有效

专利信息
申请号: 202122784428.8 申请日: 2021-11-15
公开(公告)号: CN216721162U 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 李有财;邓秉杰;孔腾;王伟平 申请(专利权)人: 福建星云电子股份有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M1/00;H02M1/32;H02M3/156
代理公司: 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 代理人: 宋连梅
地址: 350000 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 并联 mos 均衡 保护装置
【说明书】:

本实用新型提供了MOS管保护技术领域的一种并联MOS管的均衡保护装置,包括一MOS开关电路、一取样电路、一控制比较电路、一驱动电路以及一限流电路;所述MOS开关电路的一端与驱动电路以及限流电路连接,另一端与取样电路连接;所述控制比较电路的一端与取样电路以及MOS开关电路连接,另一端与驱动电路连接。本实用新型的优点在于:实现对并联的MOS管提供均衡保护,极大的提升了电路的安全性和稳定性,极大的降低了MOS管生产成本以及电路设计成本。

技术领域

本实用新型涉及MOS管保护技术领域,特别指一种并联MOS管的均衡保护装置。

背景技术

MOS管又称为场效应管,是一种利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件。由于单个MOS管所承受的电流有限,因此在实际电路设计中常并联多个MOS管以承受更大的电流。

由于生产批次、生产条件等各种原因,不同MOS管的一致性不能完全保证相同,使得在多个MOS管并联使用时,存在如下问题:1、时常出现其中某个MOS管因瞬间承受了较大电流而损坏的情况,即出现烧管问题,影响电路的安全性和稳定性;2、生产MOS管时需要人工进行MOS管的匹配,增加生产的工作量;3、电路参数设计时需要考虑驱动电路的一致性,增加了电路设计难度;4、PCB设计时需要考虑走线内阻不同所造成的不均衡,从而增加PCB设计难度。

因此,如何提供一种并联MOS管的均衡保护装置,实现对并联的MOS管提供均衡保护,提升电路的安全性和稳定性,降低MOS管生产成本以及电路设计成本,成为一个亟待解决的问题。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题,在于提供一种并联MOS管的均衡保护装置,实现对并联的MOS管提供均衡保护,提升电路的安全性和稳定性,降低MOS管生产成本以及电路设计成本。

本实用新型是这样实现的:一种并联MOS管的均衡保护装置,包括一MOS开关电路、一取样电路、一控制比较电路、一驱动电路以及一限流电路;

所述MOS开关电路的一端与驱动电路以及限流电路连接,另一端与取样电路连接;所述控制比较电路的一端与取样电路以及MOS开关电路连接,另一端与驱动电路连接。

进一步地,所述MOS开关电路包括一MOS管Q1、一MOS管Q2、一MOS管Q3以及一MOS管Q4;

所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3以及MOS管Q4的漏极相互连接,栅极均与限流电路以及驱动电路连接,源极均与取样电路连接。

进一步地,所述取样电路包括一电阻R5、一电阻R6、一电阻R7、一电阻R8、一电阻R9、一电阻R10、一电阻R11以及一电阻R12;

所述电阻R5与电阻R6并联后,一端与控制比较电路以及MOS管Q1的源极连接,另一端接地;所述电阻R7与电阻R8并联后,一端与控制比较电路以及MOS管Q2的源极连接,另一端接地;所述电阻R9与电阻R10并联后,一端与控制比较电路以及MOS管Q3的源极连接,另一端接地;所述电阻R11与电阻R12并联后,一端与控制比较电路以及MOS管Q4的源极连接,另一端接地。

进一步地,所述控制比较电路包括一运放U1A、一运放U1B、一运放U1C以及一运放U1D;

所述运放U1A的引脚1与驱动电路连接,引脚5与电阻R5、电阻R6以及MOS管Q1的源极连接;所述运放U1B的引脚2与驱动电路连接,引脚7与电阻R7、电阻R8以及MOS管Q2的源极连接;所述运放U1C的引脚14与驱动电路连接,引脚9与电阻R9、电阻R10以及MOS管Q3的源极连接;所述运放U1D的引脚13与驱动电路连接,引脚11与电阻R11、电阻R12以及MOS管Q4的源极连接。

进一步地,所述驱动电路包括一MOS管Q5、一MOS管Q6、一MOS管Q7、一MOS管Q8、一电阻R13、一电阻R14、一电阻R15以及一电阻R16;

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