[实用新型]电平移位器电路

权利要求书

1.一种电平移位器电路，其特征在于，所述电平移位器电路包括:

第一电流镜，耦合在电源端子与接地端子之间；

第二电流镜，耦合在所述电源端子与所述接地端子之间；以及

电平移位器，其中所述电平移位器包括耦合到所述第一电流镜的第一晶体管和耦合到所述第二电流镜的第二晶体管，其中所述第一电流镜和所述第二电流镜控制所述第一晶体管和所述第二晶体管的状态。

2.根据权利要求1所述的电平移位器电路，其特征在于，所述第一电流镜控制在所述第二晶体管的栅极处的电压，并且其中所述第二电流镜控制在所述第一晶体管的栅极处的电压。

3.根据权利要求1所述的电平移位器电路，其特征在于，所述第一电流镜包括：

第三晶体管，耦合在所述电源端子与第四晶体管之间，

所述第四晶体管，耦合在所述第三晶体管与所述接地端子之间，以及

第五晶体管，耦合在所述电源端子与所述第一晶体管的漏极端子之间；以及

其中所述第二电流镜包括：

第六晶体管，耦合在所述电源端子与第七晶体管之间，

所述七晶体管，耦合在所述第六晶体管与所述接地端子之间，以及

第八晶体管，耦合在所述电源端子与所述第二晶体管的漏极端子之间。

4.根据权利要求1所述的电平移位器电路，其特征在于，所述第一电流镜包括：

第三晶体管，耦合在所述电源端子与第四晶体管之间，

所述第四晶体管，耦合在所述第三晶体管与第五晶体管之间，

第五晶体管，耦合在所述第四晶体管与所述接地端子之间，以及

第六晶体管，耦合在所述电源端子与所述第一晶体管的漏极端子之间；以及

其中第二电流镜包括：

第七晶体管，耦合在所述电源端子与第八晶体管之间，

所述第八晶体管，耦合在所述第七晶体管与第九晶体管之间，

所述第九晶体管，耦合在第八晶体管与所述接地端子之间，以及

第十晶体管，耦合在所述电源端子与所述第二晶体管的漏极端子之间。

5.根据权利要求4所述的电平移位器电路，其特征在于，所述电平移位器还包括：

第十一晶体管，耦合在所述第一晶体管与接地之间；以及第十二晶体管，耦合在所述第二晶体管与接地之间，其中所述第十二晶体管由输入信号门控，并且所述第十一晶体管由所述输入信号的反相门控。

6.根据权利要求5所述的电平移位器电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管以及所述第十晶体管是p型晶体管，并且所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十一晶体管和所述第十二晶体管是n型晶体管。

7.根据权利要求5所述的电平移位器电路，其特征在于，所述电平移位器电路还包括：

直通电流部段，被配置为控制所述电平移位器电路中的所述第一电流反射镜和所述第二电流反射镜的定时，其中所述直通电流部段耦合在所述第一晶体管的栅极与所述第一电流反射镜之间以及耦合在所述第二晶体管的栅极与所述第二电流反射镜之间，并且其中所述直通电流部段包括多个反相器。

8.根据权利要求4所述的电平移位器电路，其特征在于，所述电平移位器还包括：

第十一晶体管，耦合在所述第一晶体管与第十二晶体管之间；

所述第十二晶体管，耦合在所述第十一晶体管与接地之间；

第十三晶体管，耦合在所述第二晶体管与第十四晶体管之间；以及

所述第十四晶体管，耦合在所述第十三晶体管与接地之间，其中所述第十四晶体管由输入信号门控，并且所述第十二晶体管由所述输入信号的反相门控。

9.根据权利要求1所述的电平移位器电路，其特征在于，所述电平移位器、所述第一电流镜以及所述第二电流镜中的一个或多个晶体管是低压晶体管，并且所述电平移位器电路还包括：

至少一个晶体管，耦合到低压晶体管的漏极并且被配置为控制所述低压晶体管的漏极处的电压。

10.根据权利要求9所述的电平移位器电路，其特征在于，所述电平移位器的输入端子耦合到输入/输出电路。