[实用新型]电平移位器电路

说明书

本公开的实施例涉及抗电平移位器电路。电平移位器电路包括耦合在电源端子与接地端子之间的第一电流镜、耦合在电源端子与接地端子之间的第二电流镜、以及电平移位器。电平移位器包括耦合到第一电流镜的第一晶体管和耦合到第二电流镜的第二晶体管。第一电流镜和第二电流镜控制第一晶体管和第二晶体管的状态。利用本公开的实施例有利地实现具有对速度和面积的最小影响的电平移位器的无限操作范围的电平移位器电路。

技术领域

本公开涉及集成电路(IC)。更具体地，本公开涉及用于IC的非对抗电平移位器电路。

背景技术

集成电路(IC)通常包括以不同功率电平操作的电路。例如，输入/输出(I/O)电路经常以比IC的核心中的电路更高的电压操作。当 IC包括由处于第一功率电平的电路生成的信号时，可以使用电平移位器电路，然后将该信号提供给以较高或较低功率电平操作的另一电路。例如，电平移位器可以接收具有较低功率电平的输入信号并且提供具有较高功率电平的输出信号。

实用新型内容

本公开的目的是提供一种电平移位器电路，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。

本公开的是一方面提供了一种电平移位器电路，电平移位器电路包括：第一电流镜，耦合在电源端子与接地端子之间；第二电流镜，耦合在电源端子与接地端子之间；以及电平移位器，其中电平移位器包括耦合到第一电流镜的第一晶体管和耦合到第二电流镜的第二晶体管，其中第一电流镜和第二电流镜控制第一晶体管和第二晶体管的状态。

根据一个或多个实施例，第一电流镜控制在第二晶体管的栅极处的电压，并且其中第二电流镜控制在第一晶体管的栅极处的电压。

根据一个或多个实施例，第一电流镜包括：第三晶体管，耦合在电源端子与第四晶体管之间，第四晶体管，耦合在第三晶体管与接地端子之间，以及第五晶体管，耦合在电源端子与第一晶体管的漏极端子之间；以及其中第二电流镜包括：第六晶体管，耦合在电源端子与第七晶体管之间，七晶体管，耦合在第六晶体管与接地端子之间，以及第八晶体管，耦合在电源端子与第二晶体管的漏极端子之间。

根据一个或多个实施例，第一电流镜包括：第三晶体管，耦合在电源端子与第四晶体管之间，第四晶体管，耦合在第三晶体管与第五晶体管之间，第五晶体管，耦合在第四晶体管与接地端子之间，以及第六晶体管，耦合在电源端子与第一晶体管的漏极端子之间；以及其中第二电流镜包括：第七晶体管，耦合在电源端子与第八晶体管之间，第八晶体管，耦合在第七晶体管与第九晶体管之间，第九晶体管，耦合在第八晶体管与接地端子之间，以及第十晶体管，耦合在电源端子与第二晶体管的漏极端子之间。

根据一个或多个实施例，电平移位器还包括：第十一晶体管，耦合在第一晶体管与接地之间；以及第十二晶体管，耦合在第二晶体管与接地之间，其中第十二晶体管由输入信号门控，并且第十一晶体管由输入信号的反相门控。

根据一个或多个实施例，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第六晶体管、第七晶体管以及第十晶体管是p型晶体管，并且第四晶体管、第五晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十一晶体管和第十二晶体管是n型晶体管。

根据一个或多个实施例，电平移位器电路还包括：直通电流部段，被配置为控制电平移位器电路中的第一电流反射镜和第二电流反射镜的定时，其中直通电流部段耦合在第一晶体管的栅极与第一电流反射镜之间以及耦合在第二晶体管的栅极与第二电流反射镜之间，并且其中直通电流部段包括多个反相器。

根据一个或多个实施例，电平移位器还包括：第十一晶体管，耦合在第一晶体管与第十二晶体管之间；第十二晶体管，耦合在第十一晶体管与接地之间；第十三晶体管，耦合在第二晶体管与第十四晶体管之间；以及第十四晶体管，耦合在第十三晶体管与接地之间，其中第十四晶体管由输入信号门控，并且第十二晶体管由输入信号的反相门控。