[实用新型]5G通信低噪声放大器、移动通信设备及芯片有效
| 申请号： | 202122798018.9 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN216390929U | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 谢志远;赵宇霆;郭嘉帅 | 申请（专利权）人： | 深圳飞骧科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/19 | 分类号： | H03F3/19;H03F1/26 |
| 代理公司： | 深圳君信诚知识产权代理事务所(普通合伙) 44636 | 代理人： | 刘伟 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区南头街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通信 低噪声放大器 移动 设备 芯片 | ||
1.一种5G通信低噪声放大器，其特征在于，所述5G通信低噪声放大器包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及晶体管；
所述第一电容的第一端连接至所述第一电感的第一端，并作为所述5G通信低噪声放大器的射频信号输入端；
所述第一电感的第二端连接至接地；
所述第一电容的第二端分别连接至所述晶体管的栅极、所述第四电阻的第二端、所述第三电阻的第二端；
所述晶体管的源极连接至所述第三电感的第一端，所述第三电感的第二端连接至接地；
所述晶体管的漏极分别连接至所述第三电容的第一端、所述第二电感的第一端以及所述第四电感的第二端；所述第四电感的第一端连接至电源电压；
所述第三电容的第二端连接至所述第五电感的第一端，并作为所述5G通信低噪声放大器的射频信号输出端，所述第五电感的第二端连接至接地；
所述第二电阻的第一端连接所述第四电感的第一端；所述第二电阻的第二端分别连接至所述第三电阻的第一端、所述第一电阻的第一端以及所述第四电容的第一端；所述第四电容的第二端以及所述第一电阻的第二端均连接至接地；
所述第二电感的第二端通过串联所述第二电容连接所述第四电阻的第一端。
2.根据权利要求1所述的5G通信低噪声放大器，其特征在于，所述晶体管为NMOS管。
3.根据权利要求1所述的5G通信低噪声放大器，其特征在于，所述第二电感、所述第二电容以及所述第四电阻均为参数可调。
4.根据权利要求1所述的5G通信低噪声放大器，其特征在于，所述第三电感为参数可调。
5.根据权利要求1所述的5G通信低噪声放大器，其特征在于，所述5G通信低噪声放大器在输入的所述射频信号为2.0GHz-4.2GHz频率范围内的噪声系数小于2.0dB。
6.根据权利要求1所述的5G通信低噪声放大器，其特征在于，所述5G通信低噪声放大器在输入的所述射频信号为2.0GHz-4.2GHz频率范围内的增益大于13.0dB。
7.根据权利要求1所述的5G通信低噪声放大器，其特征在于，所述5G通信低噪声放大器在输入的所述射频信号为2.0GHz-4.2GHz频率范围内的输入输出回波损耗小于-15.0dB。
8.根据权利要求1所述的5G通信低噪声放大器，其特征在于，所述第三电阻的阻值大于1000欧姆。
9.一种移动通信设备，其特征在于，所述移动通信设备包括如权利要求1-8中任意一项所述的5G通信低噪声放大器。
10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1-8中任意一项所述的5G通信低噪声放大器。
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