[实用新型]5G通信低噪声放大器、移动通信设备及芯片

说明书

本实用新型提供了一种5G通信低噪声放大器，包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及晶体管。本实用新型还提供了一种所述应用5G通信低噪声放大器的移动通信设备和芯片。本实用新型的5G通信低噪声放大器、移动通信设备以及芯片的电路版图面积小且噪声系数低。

技术领域

本实用新型涉及放大器电路领域，尤其涉及一种5G通信低噪声放大器、移动通信设备及芯片。

背景技术

目前，移动通信技术的发展，尤其在手机通信的应用越来越广，低噪声放大器(LowNoise Amplifier，简称LNA)在手机通信系统中承担了越来越重要的角色，低噪声放大器是手机通信系统中的射频前端非常重要的模组，其作用为处理天线接收的信号，减弱通信模块的噪声。低噪声放大器的性能直接决定手机通信系统中的接收机的灵敏度进而信号频谱模板等，从而影响和决定整个手机通信系统的各项性能指标。

相关技术的低噪声放大器包括匹配网络和偏置电路，输入匹配网络包括输入匹配网络和输出匹配网络，偏置电路网络一般采用扼流电感。

然而，相关技术的低噪声放大器采用的扼流电感的电感值非常大，为1nH～20nH左右，导致版图面积的增大，并且在高频下电感自身的寄生参数很大，电感在生成制造过程中其感值的变化范围也较大，对低噪声放大器的匹配网络特别是输入匹配网络带了巨大的影响，其中输入匹配网络直接决定其噪声系数，即电感的寄生参数和电感值不确定性将会大大恶化低噪声放大器的噪声系数。

因此，实有必要提供一种新的低噪声放大器及相关设备和芯片解决上述问题。

实用新型内容

针对以上现有技术的不足，本实用新型提出一种电路版图面积小且噪声系数低的5G通信低噪声放大器、移动通信设备及芯片。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种5G通信低噪声放大器，所述5G通信低噪声放大器包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及晶体管；

所述第一电容的第一端连接至所述第一电感的第一端，并作为所述5G通信低噪声放大器的射频信号输入端；

所述第一电感的第二端连接至接地；

所述第一电容的第二端分别连接至所述晶体管的栅极、所述第四电阻的第二端、所述第三电阻的第二端；

所述晶体管的源极连接至所述第三电感的第一端，所述第三电感的第二端连接至接地；

所述晶体管的漏极分别连接至所述第三电容的第一端、所述第二电感的第一端以及所述第四电感的第二端；所述第四电感的第一端连接至电源电压；

所述第三电容的第二端连接至所述第五电感的第一端，并作为所述5G通信低噪声放大器的射频信号输出端，所述第五电感的第二端连接至接地；

所述第二电阻的第一端连接所述第四电感的第一端；所述第二电阻的第二端分别连接至所述第三电阻的第一端、所述第一电阻的第一端以及所述第四电容的第一端；所述第四电容的第二端以及所述第一电阻的第二端均连接至接地；

所述第二电感的第二端通过串联所述第二电容连接所述第四电阻的第一端。

优选的，所述晶体管为NMOS管。

优选的，所述第二电感、所述第二电容以及所述第四电阻均为参数可调。

优选的，所述第三电感为参数可调。

优选的，，所述5G通信低噪声放大器在输入的所述射频信号为2.0GHz-4.2GHz频率范围内的噪声系数小于2.0dB。