[实用新型]一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长设备有效

专利信息
申请号: 202122815556.4 申请日: 2021-11-17
公开(公告)号: CN216614933U 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 朱慧;何东旺 申请(专利权)人: 江苏籽硕科技有限公司
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B23/02
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 孙峰
地址: 225300 江苏省泰州市医药高新技术产业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 制备 二硫化钼 薄膜 分子 外延 生长 设备
【说明书】:

实用新型公开了一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长设备,包括工作台和箱体,所述工作台顶端中间位置处安装有箱体,所述箱体前表面一侧中间位置处安装有除尘管,所述除尘管内表面顶端中间位置处与底端中间位置处均安装有静电板,所述工作台靠近底端中间位置处安装有底座,所述底座顶端中间位置处安装有真空泵,所述真空泵一侧中间位置处通过真空管连接于箱体。本实用新型解决了现有装置多采用单工位进行加工,每次加工完成后,需要再次对箱体进行真空处理和对材料板进行加热,资源浪费大,生产效率不佳,且上下料过程中,灰尘极易进入箱体内部,污染生产环境,影响薄膜生产质量的问题,提高了本实用新型的生产效率和生产质量。

技术领域

本实用新型涉及二硫化钼薄膜生产技术领域,具体为一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长设备。

背景技术

二硫化钼薄膜由于其优异的特性,在电子学与光电子学等众多领域具有潜在的应用价值,二硫化钼薄膜功能化器件与应用方面,构筑了全二维材料、亚5nm超短沟道场效应晶体管器件,验证了单层二硫化钼对短沟道效应的有效抑制及其在5nm工艺节点器件中的应用优势;此外,利用制备的高质量单层二硫化钼和发展的器件洁净加工技术,实现了高性能柔性薄膜晶体管的集成,获得了超高灵敏度与稳定性的非接触型湿度传感器。层状二硫化钼可采用分子束外延生长设备进行制备。

现有的生长设备,多采用单工位进行加工,每次加工完成后,需要再次对箱体进行真空处理和对材料板进行加热,资源浪费大,生产效率不佳,且上下料过程中,灰尘极易进入箱体内部,污染生产环境,影响薄膜生产质量,为此,我们提出一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长设备。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长设备,具备生产效率高的优点,解决了现有装多采用单工位进行加工,每次加工完成后,需要再次对箱体进行真空处理和对材料板进行加热,资源浪费大,生产效率不佳,且上下料过程中,灰尘极易进入箱体内部,污染生产环境,影响薄膜生产质量的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长设备,包括工作台和箱体,其中所述工作台顶端中间位置处安装有箱体,所述箱体前表面一侧中间位置处安装有除尘管,所述除尘管内表面顶端中间位置处与底端中间位置处均安装有静电板,所述工作台靠近底端中间位置处安装有底座,所述底座顶端中间位置处安装有真空泵,所述真空泵一侧中间位置处通过真空管连接于箱体,所述工作台顶端中间位置处通过轴承套接有支撑座,所述支撑座底端外表面位置处安装有齿轮B。

优选的,所述箱体内部顶端一侧中间位置处通过连接杆安装有靶板,所述箱体底端位于靶板下端位置处安装有束子源,所述束子源共设有两个,且两个所述束子源分设于箱体底端位于靶板一侧位置处。

优选的,所述支撑座顶端位置处均设有放置槽,所述放置槽共设有四个,且四个所述放置槽等角度分设于支撑座顶端四个角位置处,四个所述放置槽内表面位置处安装有材料板。

优选的,所述支撑座内部底端一侧中间位置处安装有出油管,所述支撑座内部底端位于出油管一侧位置处安装有进油管,所述支撑座内部位于出油管与进油管间隙位置处安装有密封塞。

优选的,所述箱体顶端位于除尘管后表面位置处安装有电动伸缩器,所述电动伸缩器输出轴末端位于除尘管后表面位置处安装有密封板,所述密封板前表面位置处安装有密封塞。

优选的,所述箱体顶端位于材料板上端中间位置处安装有衍射仪。

优选的,所述工作台底端位于支撑座一侧位置处安装有分度电机,所述分度电机输出轴末端位置处安装有齿轮A,所述齿轮A与齿轮B相啮合。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

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