[实用新型]三基色发光二极管芯片

权利要求书

1.一种三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述三基色发光二极管芯片包括：透明基板(10)、外延结构(2)、第一透明导电层(31)、第二透明导电层(32)、第三透明导电层(33)、第一电极(41)、第二电极(421)、第三电极(422)、第四电极(423)；

所述外延结构(2)包括第一外延层(21)、第二外延层(22)和第三外延层(23)，所述第一外延层(21)、所述第一透明导电层(31)、所述第二透明导电层(32)、所述第二外延层(22)、所述第三透明导电层(33)和所述第三外延层(23)依次层叠于所述透明基板(10)外，所述第一电极(41)、所述第二电极(421)、所述第三电极(422)和所述第四电极(423)均位于所述第三外延层(23)远离所述透明基板(10)的一侧，且所述第一电极(41)与所述第一透明导电层(31)、所述第二透明导电层(32)和所述第三透明导电层(33)相连，所述第二电极(421)与所述第一外延层(21)相连，所述第三电极(422)与所述第二外延层(22)相连，所述第四电极(423)与所述第三外延层(23)相连。

2.根据权利要求1所述的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述第一外延层(21)包括依次层叠于所述透明基板(10)上的第一n型层(211)、第一发光层(212)和第一p型层(213)；

所述第二外延层(22)包括依次层叠于所述第二透明导电层(32)上的第二p型层(223)、第二发光层(222)和第二n型层(221)；

所述第三外延层(23)包括依次层叠于所述第三透明导电层(33)上的第三p型层(233)、第三发光层(232)和第三n型层(231)。

3.根据权利要求2所述的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述第三n型层的表面具有绝缘结构(61)，所述发光二极管芯片具有第一凹槽(201)，所述第一凹槽(201)从第三外延层(23)至少延伸至所述第一透明导电层(31)，以露出所述第一透明导电层(31)、所述第二透明导电层(32)和所述第三透明导电层(33)；

所述第一电极(41)包括：p电极(410)和第一金属条(411)，所述p电极(410)与所述第一金属条(411)相连；

所述p电极(410)位于所述绝缘结构(61)上，所述第一金属条(411)位于所述第一凹槽(201)中，且与所述第一透明导电层(31)、所述第二透明导电层(32)和所述第三透明导电层(33)相连。

4.根据权利要求3所述的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片具有第二凹槽(202)，所述第二凹槽(202)从第三外延层(23)至少延伸至所述第一n型层(211)，以露出所述第一n型层(211)，所述第二凹槽(202)中具有第一绝缘层(62)，所述第一绝缘层(62)从所述第三外延层(23)延伸至所述第一n型层(211)；

所述第二电极(421)包括：第一n电极(4201)和第二金属条(424)，所述第一n电极(4201)与所述第二金属条(424)相连；

所述第一n电极(4201)位于所述绝缘结构(61)上，所述第二金属条(424)位于所述第二凹槽(202)中，并与所述第一n型层(211)相连。

5.根据权利要求3所述的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片具有第三凹槽(203)，所述第三凹槽(203)从第三外延层(23)至少延伸至所述第二n型层(221)，以露出所述第二n型层(221)，所述第三凹槽(203)中具有第二绝缘层(63)，所述第二绝缘层(63)从所述第三外延层(23)延伸至所述第二n型层(221)；

所述第三电极(422)包括：第二n电极(4202)和第三金属条(425)，所述第二n电极(4202)与所述第三金属条(425)相连；

所述第二n电极(4202)位于所述绝缘结构(61)上，所述第三金属条(425)位于所述第三凹槽(203)中，并与所述第二n型层(221)相连。