[实用新型]一种高性能防虚焊薄膜电容有效
| 申请号： | 202122844133.5 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN216212909U | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 鲁廷立;黄炎 | 申请（专利权）人： | 深圳京裕电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/228;H01G4/224;H01G4/002;H01G2/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 防虚焊 薄膜 电容 | ||
1.一种高性能防虚焊薄膜电容，包括塑壳(1)、薄膜卷(2)、阴极引脚(3)和阳极引脚(4)，所述薄膜卷(2)位于塑壳(1)的内部，所述阴极引脚(3)的左端和阳极引脚(4)的右端均与薄膜卷(2)的内部连接，其特征在于：所述塑壳(1)的内壁设置有两个定位凸缘(6)，所述塑壳(1)的左右两侧均螺纹连接有端盖(7)，两个端盖(7)的中心处均开设有通孔，所述阴极引脚(3)位于左侧通孔的内部，所述阳极引脚(4)位于右侧通孔的内部，所述阴极引脚(3)的左端与阳极引脚(4)的右端均固定连接有凹凸引脚(5)，左侧凹凸引脚(5)的左端与右侧凹凸引脚(5)的右端均固定连接有直线引脚(12)，所述塑壳(1)的侧表面包裹有环氧树脂层(10)，两个凹凸引脚(5)均位于环氧树脂层(10)的内部。
2.根据权利要求1所述的一种高性能防虚焊薄膜电容，其特征在于：所述薄膜卷(2)包括内部金属箔、塑料膜和外部金属箔，所述阴极引脚(3)的右端与内部金属箔固定连接，所述阳极引脚(4)的左端与外部金属箔固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种高性能防虚焊薄膜电容，其特征在于：左侧端盖(7)的右侧与左侧定位凸缘(6)的左侧抵持，右侧端盖(7)的左侧与右侧定位凸缘(6)的右侧抵持。
4.根据权利要求1所述的一种高性能防虚焊薄膜电容，其特征在于：两个通孔的内壁均固定连接有中心管(8)，两个端盖(7)远离薄膜卷(2)的一侧均设置有固定板(9)，所述阴极引脚(3)位于左侧中心管(8)的内部，所述阳极引脚(4)位于右侧中心管(8)的内部。
5.根据权利要求1所述的一种高性能防虚焊薄膜电容，其特征在于：左侧凹凸引脚(5)左端端面的轴向中心线与右侧凹凸引脚(5)右端端面的轴向中心线共线，且两个端面的中心线均与塑壳(1)的轴向中心线共线。
6.根据权利要求1所述的一种高性能防虚焊薄膜电容，其特征在于：所述环氧树脂层(10)的侧表面开设有散热槽(11)，所述散热槽(11)位于塑壳(1)侧表面的外部，与塑壳(1)的外置相对应。
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