[实用新型]一种全透明UV-LED封装结构

说明书

本实用新型公开了一种全透明UV‑LED封装结构。封装结构包括UV‑LED芯片、凹腔透明光窗、透明填充物、透明基板、透明固晶层和透明粘接层；所述UV‑LED芯片贴装在所述凹腔透明光窗内部，‑并用所述透明填充物填充所述UV‑LED芯片和所述凹腔透明光窗之间的空隙；所述透明粘接层和透明固晶层位于所述透明基板的透明线路层上端‑，用于连接所述UV‑LED芯片和所述凹腔透明光窗，形成密闭的全透明腔体结构；所述透明填充物能将UV‑LED芯片产生的热量及时耗散掉，降低UV‑LED结温，‑增强UV‑LED使用寿命；所述透明基板和所述凹腔透明光窗能增强封装结构的底面‑和侧面出光能力，实现封装结构360°出光，有效增强UV‑LED光提取效率。通过本实用新型，不仅能增强封装结构的散热能力，还能实现封装结构360°出光，提升光提取效率。

技术领域

本发明属于LED封装技术领域，更具体地，涉及一种全透明UV-LED 封装结构。

背景技术

UV-LED是指发射波长在100-400nm范围内的单波长LED光源，在树脂固化、油墨印刷、防伪识别、杀菌消毒、生化检测和医疗健康等领域有着重要的应用价值，是新一代绿色杀菌消毒和光固化光源的解决方案。

目前，现有UV-LED封装结构通常采用不透明的三维陶瓷基板作为封装基板，再通过粘接和焊接方式来连接三维陶瓷基板和平面玻璃光窗，从而形成密闭的封装腔体。三维陶瓷基板由平面陶瓷基板和围坝组成，是通过电镀增厚和粘接方式在平面陶瓷基板上制备围坝结构的。陶瓷基板和围坝都是不透明的，只能通过光窗实现单面出光，无法实现多面出光，且 UV-LED芯片出发的紫外光碰到陶瓷基板和围坝侧壁会发生严重的光吸收和反射损耗，严重降低UV-LED光提取效率。因此，有必要改进现有UV-LED 封装结构，提高光提取效率和延长UV-LED器件寿命。

实用新型内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本实用新型提供了一种全透明 UV-LED封装结构，通过采用透明基板和凹腔透明光窗等全透明封装材料来增强封装结构的底面出光能力和侧面出光能力，实现封装结构的360°出光，有效增强UV-LED光提取效率。同时采用透明填充物将UV-LED芯片产生的热量及时耗散掉，降低UV-LED结温，增强UV-LED使用寿命和光电性能表现。

相应地，为达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

一种全透明UV-LED封装结构，包括UV-LED芯片、凹腔透明光窗、透明填充物、透明基板、透明固晶层和透明粘接层。所述UV-LED芯片贴装在所述凹腔透明光窗内部，并用所述透明填充物填充所述UV-LED芯片和所述凹腔透明光窗之间的空隙；所述透明粘接层和透明固晶层位于所述透明基板的透明线路层上端，用于连接所述UV-LED芯片和所述凹腔透明光窗，形成密闭的全透明腔体结构。

进一步的，所述UV-LED芯片波长范围为200～400nm。

进一步的，所述凹腔透明光窗厚度为0.3～4mm，凹腔的深度为0.8～5 mm。

进一步的，所述透明固晶层厚度为5～500μm。

进一步的，所述透明粘接层厚度为5～500μm。

进一步的，所述透明基板厚度为0.4～2mm；透明线路层厚度为5～5000 nm。

总体而言，通过本实用新型所构思的以上技术方案与现有技术相比，通过透明填充物将UV-LED芯片产生的热量快速迅速耗散掉，可有效降低 UV-LED结温，从而增强UV-LED芯片使用寿命和光电性能。更重要的是，通过透明基板和凹腔透明光窗等透明封装材料提高了封装结构的出光能力，实现了360°出光，突破了传统封装结构单面出光的技术瓶颈，从而大幅度提高了UV-LED的出光效率。

附图说明

图1是本实用新型提供的一种全透明UV-LED封装结构的示意图。

具体实施方式