[实用新型]一种可控栅极电容的功率器件结构

权利要求书

1.一种可控栅极电容的功率器件结构，包括衬底（00），所述衬底（00）的底部设置有注入层（01），其特征在于：所述衬底（00）的上部设置有第一层沟槽（02）和第二层沟槽（03），所述第一层沟槽（02）和第二层沟槽（03）形成双层包围的沟槽结构，所述第一层沟槽（02）为连接栅极的沟槽，第二层沟槽（03）是连接发射极的沟槽，第一层沟槽（02）围成矩形区域，所述第二层沟槽（03）围成一个横向尺寸为a，纵向尺寸为b的矩形区域，第二沟槽围成的矩形区域位于第一沟槽围成的矩形区域之内。

2.根据权利要求1所述的一种可控栅极电容的功率器件结构，其特征在于：所述第一层沟槽（02）内和第一层沟槽（02）到第二层沟槽（03）之间均设置有设有形成发射区的N+区（5），其导电类型为第一导电类型；第二层沟槽（03）围成的矩形区域没有N+区（5），并且该区域内没有与发射极相连的接触孔，此区域被为绝对的浮空区域。

3.根据权利要求1所述的一种可控栅极电容的功率器件结构，其特征在于：所述第一层沟槽（02）包括两个平行的沟槽，两个平行的沟槽之间设有与发射极接触孔相连的第一P型重掺杂区（06），在第一P型重掺杂区（06）下部为浓度低于第一P型重掺杂区（06）的第二P型重掺杂区（04），第一P型重掺杂区（06）和第二P型重掺杂区（04）的导电类型为第二导电类型。

4.根据权利要求1所述的一种可控栅极电容的功率器件结构，其特征在于：所述第二层沟槽（03）为单列沟槽，其中横向沟槽上设有与发射极相连的接触孔。

5.根据权利要求1所述的一种可控栅极电容的功率器件结构，其特征在于：第一层沟槽（02）围成矩形区域纵向尺寸为10um-50um，横向尺寸为5um-15um。

6.根据权利要求1所述的一种可控栅极电容的功率器件结构，其特征在于：a和b的比例范围值a/b为1/1至1/10。

7.根据权利要求1所述的一种可控栅极电容的功率器件结构，其特征在于：所述第一层沟槽（02）为栅极沟槽，所述第二层沟槽（03）为发射极沟槽。