[实用新型]一种晶圆表面清洗机构

说明书

本实用新型属于半导体制作技术领域，具体涉及一种晶圆表面清洗机构包括抛光槽和清洗槽、以及晶舟盒，所述抛光槽和清洗槽顶部均设有置入口，所述晶舟盒从置入口进入对应的抛光槽或者清洗槽，所述晶舟盒的盒体内设有若干个间隔摆放的置入槽，所述晶舟盒的盒体的前端部侧壁和后端部侧壁的顶部均设有固定件；固定件之间设有手把部；晶圆间隔摆放于晶舟盒的置入槽中；本实用新型可完整有效的达到晶圆清洗成果，亦可有效避免水流痕与研磨污染物残留晶圆表面之异常,大大提升蒸镀制程的良率,缩短出货工时。

技术领域

本实用新型属于半导体制作技术领域，具体的讲涉及一种晶圆表面清洗机构。

背景技术

现今半导体技术在晶圆薄化已驱成熟，为了增进芯片在晶圆内的延展性及提升高功率芯片在运行中加速散热效果，工程人员均极尽所能研发让晶圆薄化技术达到极致。

现阶段晶圆研磨后之制程需接着晶圆抛光清洗的步骤，晶圆抛光清洗后更紧接着背面金属蒸镀的重要制程，晶圆抛光清洗又可分干式与湿式两种方式，干式作业通常耗费高昂成本与高工时，而湿式作业则为多数厂家所使用，因其具有清洗液可回收重复使用与工时大幅缩短的优势，有效降低成本提高产能，晶圆历经研磨后其表面残留许多污染物，而抛光清洗该制程则需要有效率及高产能额设计才能与业界其他厂家竞争，本实用新型则以一种晶圆表面洗净的方法达到相同目的，不仅能洁净晶圆表面残留物，亦可提升制程良率，与提升蒸镀制程之附着力。

实用新型内容

为解决现有技术存在的问题，本实用新型提供一种晶圆表面清洗机构，可有效避免晶圆表面污染物残留，降低晶圆晶背有水流痕、裂痕及清洗不完全的异常，可有效提高产能与拉升良率。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种晶圆表面清洗机构，包括如下步骤：

包括抛光槽和清洗槽、以及晶舟盒，所述抛光槽和清洗槽顶部均设有置入口，所述晶舟盒从置入口进入对应的抛光槽或者清洗槽，所述晶舟盒的盒体内设有若干个间隔摆放的置入槽，所述晶舟盒的盒体的前端部侧壁和后端部侧壁的顶部均设有固定件；固定件之间设有手把部；晶圆间隔摆放于晶舟盒的置入槽中；所述抛光槽和清洗槽的底部均设有顶出部，藉由顶出部使得晶舟盒放置时能依据设定角度稳定放置。

进一步地，该晶舟盒为铁氟龙晶舟盒。

进一步地，晶舟盒内可放晶圆尺寸可为4in、5in、6in、8in与12in。

进一步地，晶舟盒内所置放的晶圆片数依据清洗要求不同而置放。

进一步地，抛光槽内所使用的清洗液为硝酸、醋酸、氢氟酸中的一种或者多种。

进一步地，清洗槽内所使用的清洗液为纯水。

进一步地，清洗槽运转的纯水阻值至少为1MΩ以上。

进一步地，抛光槽和清洗槽均设有对应的清洗区，并且清洗区内设有一个顶出部可供置入的晶舟盒放置。

进一步地，顶出部设有一个承载面，该承载面底部设有一个调节件可供承载面依据需求调整置入晶舟盒的倾斜角度。

顶出部的角度设定为使晶圆的贴胶面倚靠晶舟盒前端部的方向；晶圆间隔放置且最靠近端部的晶圆为晶圆样品。

本方案的有益效果如下：

本实用新型提供一种晶圆表面清洗机构，可完整有效的达到晶圆清洗成果，亦可有效避免水流痕与研磨污染物残留晶圆表面之异常,大大提升蒸镀制程的良率,缩短出货工时。

附图说明

图1为本实用新型一种晶圆表面清洗机构实施例1的结构示意图；

图2为本实用新型一种晶圆表面清洗机构实施例1的俯视图。