[实用新型]一种DRIE机台的等离子体约束环用定位锁定结构

说明书

本实用新型公开了一种DRIE机台的等离子体约束环用定位锁定结构，包括螺旋传动组件和升降主体，其中螺旋传动组件包括转动环和丝杆，传动环侧壁开设止动螺孔，止动螺孔内安装有止动螺杆，止动螺杆的顶部至丝杆表面的距离小于传动螺孔的孔壁至丝杆的表面的距离，止动螺杆对丝杆进行止动；本实用新型通过止动螺杆对丝杆的传动环部进行止动，止动螺杆对传动环部起到的阻挡的作用，实现了丝杆的位置固定，该种定位方式定位精度高，且不易出现被损坏而影响定位精度的问题，能实现对等离子体约束环的精密定位。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造用设备领域，特别涉及一种DRIE机台的等离子体约束环用定位锁定结构。

背景技术

DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反应离子刻蚀)机台对晶圆进行刻蚀时，机台的等离子体约束环与射频隔离环之间的等离子体约束间隙保持为1mm，该等离子体约束间隙通过控制等离子体约束环的移动实现，等离子体约束环移动过程中，射频隔离环位置固定不动，等离子体约束环连接于机台的升降主体，等离子体约束环的移动通过由螺旋传动组件控制升降主体的移动实现。

当等离子体约束环移动至与射频隔离环之间的等离子体约束间隙为1mm时，螺旋传动组件停止传动，等离子体约束环停止移动，此时实现了等离子体约束环的定位，同时，为了进一步确保等离子体约束环的位置固定，还需要对其进行锁定，锁定结构一般设置在螺旋传动组件上，现有机台上的锁定结构原理为挤压静摩擦原理，如图1所示，图中，转动环1停止转动，丝杆2不再移动，拧动止动螺杆3，止动螺杆3将挤压块4向丝杆2的传动环部5移动，并挤压块4压紧于传动环部5，以对丝杆进行锁定，进而实现等离子体约束环的位置锁定。通常挤压块4朝向传动环部5的侧面具有与传动环部相匹配的螺纹，长期使用过程中，该种锁定方式容易造成挤压块4的螺纹被损坏，出现滑牙的问题，锁定的等离子体约束环的位置精度不准确，可能导致等离子体约束间隙小于1mm，另外，射频隔离环上又容易出现聚合物的聚集，对等离子体约束间隙也会进一步产生影响，当滑牙更严重以及聚合物的聚集更多时，等离子体约束环与射频隔离环可能发生接触，从而在晶圆的边缘产生不良，导致晶圆报废，造成晶圆浪费。因此，通过改进锁定结构来确保等离子体约束环的定位精度，是有效保障等离子体约束间隙的有效方案之一。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种DRIE机台的等离子体约束环用定位锁定结构，能实现对等离子体约束环的定位后的锁定，且长期使用不影响其锁定的定位精度，有效保障等离子体约束间隙符合要求。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的深反应离子刻蚀机台的等离子体约束环用定位结构，包括螺旋传动组件和升降主体，所述螺旋传动组件包括转动环和丝杆，所述转动环沿轴向形成有贯穿所述转动环的传动螺孔，所述丝杆沿周向凸出形成有传动环部，所述传动环部与所述传动螺孔螺纹连接，所述转动环的位置固定，转动所述传动环时，所述传动环部带动所述丝杆相对于所述转动环轴向移动；

所述升降主体与所述丝杆固定连接并随所述丝杆移动，所述升降主体与所述等离子体约束环连接，所述升降主体随所述丝杆移动过程中带动所述等离子体约束环移动；

所述转动环的侧壁开设有径向贯通所述转动环的止动螺孔，所述止动螺孔内安装有止动螺杆，所述止动螺杆的顶部延伸至所述传动螺孔内，所述止动螺杆的顶部至所述丝杆的表面的距离小于所述传动螺孔的孔壁至所述丝杆的表面的距离，所述止动螺杆对所述丝杆进行定位锁定。

较佳地，所述止动螺杆延伸至所述传动螺孔内的部分形成为楔形结构。

较佳地，所述丝杆具有沿轴向方向的线性微调范围，所述线性微调范围通过控制所述楔形结构的顶端至所述丝杆表面的距离实现。

较佳地，所述线性微调范围为0.5mm-1.5mm。

较佳地，所述升降主体安装于所述丝杆的顶端。

较佳地，所述升降主体与所述丝杆通过紧固件连接。