[实用新型]共模电感封装结构

说明书

本实用新型提供一种共模电感封装结构，共模电感封装结构包括：基板，所述基板包括相对的第一表面和第二表面；第一堆叠结构，所述第一堆叠结构设置于所述第一表面上，所述第一堆叠结构包括至少一层第一导电层和至少一层第一介电层，每一所述第一导电层和每一所述第一介电层交替层叠；第一包封层，所述第一包封层设置于所述第一堆叠结构远离所述基板一侧的表面上，所述第一包封层覆盖所述第一堆叠结构；以及第二堆叠结构，所述第二堆叠结构设置于所述第一包封层远离所述第一堆叠结构一侧的表面上，所述第二堆叠结构包括至少一层第二导电层和至少一层第二介电层，每一所述第二导电层和每一所述第二介电层交替层叠。

技术领域

本实用新型属于半导体封装技术领域，特别关于一种共模电感封装结构。

背景技术

共模电感，也叫共模扼流圈，常用于过滤共模的电磁干扰信号。在板卡设计中，共模电感也是起EMI滤波的作用，用于抑制高速信号线产生的电磁波向外辐射发射。共模电感实质上是一个双向滤波器：一方面要滤除信号线上共模电磁干扰，另一方面又要抑制本身不向外发出电磁干扰，避免影响同一电磁环境下其他电子设备的正常工作。在实际电路设计中，还可以采用多级共模电路来更好地滤除电磁干扰。

如图1所示，现有共模电感封装结构的制作通常包括：在硅基板1一侧的表面上制作多层交替层叠的介电层2和金属布线层3；切割治具5在硅基板1上预留的切割槽1a内切割，获得共模电感封装结构4。

上述共模电感封装结构4的制作过程中，1)由于需要制作多层介电层2和多层金属布线层3，多层介电层2和多层金属布线层3的热膨胀系数和硅基板1的热膨胀系数不同，因此，硅基板1容易出现翘曲；2)每一介电层2和每一金属布线层3交替层叠，随着堆叠的层数增加，膜层之间易出现高低起伏的现象，影响金属布线层3的电信号传输；3)介电层2需要在对应于硅基板1上预留的切割槽1a区域预留间隙，即，介电层2不宜覆盖切割槽1a，避免切割过程中，因切割到介电层2导致其下方的硅基板1出现崩边；4)由于介电层2不覆盖切割槽1a，因此，封装结构4的边缘和硅基板1之间出现较大的高度差d，此高度差d容易导致光刻残胶、涂胶气泡、电镀漏液等问题；5)多层介电层2中仅最下方的介电层2与硅基板1接触，上方的其他介电层2不与硅基板1接触，其中，上方堆叠的介电层2和金属布线层3多层结构存在较大的应力，此较大的应力易导致最下方的介电层2和硅基板1发生分层，封装结构4失效。

有鉴于此，需要提出一种共模电感封装结构和制作方法，能够克服介电层和硅基板之间的分层问题，降低硅基板的翘曲，降低共模电感封装结构的制程难度，减小共模电感封装结构对电信号传输的干扰。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是如何改善介电层的边缘和硅基板的分层，降低硅基板的翘曲，降低共模电感封装结构的制程难度以及减小共模电感封装结构对电信号传输的干扰

为解决上述问题，本实用新型技术方案提供了一种共模电感封装结构，所述共模电感封装结构包括：基板，所述基板包括相对的第一表面和第二表面；第一堆叠结构，所述第一堆叠结构设置于所述第一表面上，所述第一堆叠结构包括至少一层第一导电层和至少一层第一介电层，每一所述第一导电层和每一所述第一介电层交替层叠；第一包封层，所述第一包封层设置于所述第一堆叠结构远离所述基板一侧的表面上，所述第一包封层覆盖所述第一堆叠结构；以及第二堆叠结构，所述第二堆叠结构设置于所述第一包封层远离所述第一堆叠结构一侧的表面上，所述第二堆叠结构包括至少一层第二导电层和至少一层第二介电层，每一所述第一导电层和每一所述第二介电层交替层叠。

作为可选的技术方案，所述第一包封层朝向所述第二堆叠层结构一侧的表面为第一平坦表面，所述第二堆叠结构设置于所述第一平坦表面上。

作为可选的技术方案，所述第一包封层包括第一侧墙，所述第一侧墙自所述第一平坦表面朝向所述第一表面突出；所述第一侧墙包围所述第一堆叠结构的周边，且所述第一侧墙和所述第一表面相连接。