[实用新型]一种晶圆成膜装置有效
| 申请号： | 202122983304.2 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN216288374U | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赵哲;沈淳;张优优;刘振兴;周长健;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 圆成 装置 | ||
1.一种晶圆成膜装置，其特征在于，至少包括：
载盘，设有一工作台；
支撑环，设有底部凹槽及顶部凹槽，所述底部凹槽是靠近底部的一端设有底部凹槽，所述顶部凹槽是靠近底部的另一端设有顶部凹槽；以及
挡柱，所述挡柱的顶部为弧形；
其中，所述支撑环通过底部凹槽套设于所述载盘上，所述挡柱位于所述支撑环的表面。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆成膜装置，其特征在于，
所述载盘为圆柱状。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆成膜装置，其特征在于，
所述工作台凸设在所述载盘表面，所述工作台为圆柱状，所述工作台的直径小于或等于所述底部凹槽的内径。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆成膜装置，其特征在于，
所述支撑环为圆环状。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆成膜装置，其特征在于，
所述底部凹槽开口为圆形，所述底部凹槽的深度小于或等于所述工作台的高度。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆成膜装置，其特征在于，
所述顶部凹槽开口为弧形，其形状与所述晶圆保持一致，所述顶部凹槽的内径小于所述晶圆的直径，起到承载晶圆的作用。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆成膜装置，其特征在于，
所述顶部凹槽的深度小于或等于所述晶圆的厚度。
8.根据权利要求1所述的一种晶圆成膜装置，其特征在于，
所述挡柱的数量至少为4个。
9.根据权利要求1所述的一种晶圆成膜装置，其特征在于，
所述挡柱垂直位于所述支撑环表面，所述挡柱的高度高于所述晶圆的高度，以固定所述晶圆。
10.根据权利要求1所述的一种晶圆成膜装置，其特征在于，
所述挡柱的形状为半圆锥、圆柱、三棱柱、四棱锥中的任意一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
