[实用新型]一种晶圆成膜装置

说明书

本实用新型提供一种晶圆成膜装置，所述成膜装置至少包括：载盘，设有一工作台；支撑环，设有底部凹槽及顶部凹槽，所述底部凹槽是靠近底部的一端设有底部凹槽，所述顶部凹槽是靠近底部的另一端设有顶部凹槽；以及，挡柱，所述挡柱的顶部为弧形；其中，所述支撑环通过底部凹槽套设于所述载盘上，所述挡柱位于所述支撑环的表面。本实用新型所提供的晶圆成膜装置，可以有效改善外延片的厚度、浓度不稳定及不均匀的问题，还可以有效减少因沉积层过厚导致晶圆发生变形、碎裂的现象。

技术领域

本实用新型属于半导体设备技术领域，特别是涉及一种晶圆成膜装置。

背景技术

外延层是制造半导体器件所不可缺少的活性层，对于半导体材料来说，为了使半导体材料本身所具有的电学以及物理化学优势在器件制作上得到最大的发挥,生长出满足器件制作水平的外延层是非常关键的。化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)由于温度低、易控制、薄膜均匀性好,已成为制备半导体外延薄膜的主要方法。

晶圆通常是圆盘形式的晶体材料，在CVD过程中，晶圆被放置在一种晶圆成膜装置上，晶圆成膜装置被放置到反应腔中，各种源气和载气的混合气体流经晶圆及成膜装置表面，反应产物在晶圆表面不断沉积生长。当晶圆进行外延生长时，反应物也会不断沉积在成膜装置表面，随着生长炉数的累加，反应物沉积越来越厚，晶圆上的气流的实际模式在持续发生变化，影响外延片的厚度、浓度的稳定性及均匀性，从而导致产品质量出现波动。并且，高温环境下反应物沉积过厚会使晶圆发生变形、碎裂等。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆成膜装置，可以有效改善外延片的厚度、浓度的不稳定及不均匀的问题，还可以有效减少反应物沉积过厚导致晶圆发生变形、碎裂的现象。

为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

本实用新型提供一种晶圆成膜的固定装置，至少包括：

载盘，设有一工作台；

支撑环，设有底部凹槽及顶部凹槽，所述底部凹槽是靠近底部的一端设有底部凹槽，所述顶部凹槽是靠近底部的另一端设有顶部凹槽；以及

挡柱，所述挡柱的顶部为弧形；

其中，所述支撑环通过底部凹槽套设于所述载盘上，所述挡柱位于所述支撑环的表面。

在本实用新型的一个实施例中，所述载盘为圆柱状。

在本实用新型的一个实施例中，所述工作台凸设在所述载盘表面，所述工作台为圆柱状。

在本实用新型的一个实施例中，所述支撑环为圆环状，所述底部凹槽开口为圆形，所述顶部凹槽开口为弧形，与所述晶圆的形状一致。

在本实用新型的一个实施例中，所述支撑环通过底部凹槽套设于所述载盘上，所述挡柱位于所述支撑环的表面，所述载盘承载整个支撑环及所述挡柱、所述晶圆。

在本实用新型的一个实施例中，所述底部凹槽的深度小于或等于所述工作台的高度，所述底部凹槽的内径大于所述工作台的直径，所述底部凹槽内壁与所述工作台直接接触。

在本实用新型的一个实施例中，所述顶部凹槽的深度小于或等于所述晶圆的厚度，所述顶部凹槽的内径小于所述晶圆的直径，起到承载晶圆的作用。

在本实用新型的一个实施例中，所述挡柱的数量至少为4个，所述挡柱的形状为半圆锥、圆柱、三棱柱、四棱锥中的任意一种。

在本实用新型的一个实施例中，所述挡柱垂直位于所述支撑环表面，所述挡住的高度高于所述晶圆的高度，以固定所述晶圆，防止晶圆发生位移导致外延层生长不均匀。

在本实用新型的一个实施例中，所述顶部凹槽的平边边缘处至少设置2个所述挡柱，所述顶部凹槽的圆形边缘处至少设置2个所述挡柱，且沿着顶部凹槽的对称轴对称放置。