[实用新型]一种用于晶圆研磨生产的厚度检测装置有效
申请号: | 202122987475.2 | 申请日: | 2021-12-01 |
公开(公告)号: | CN216898649U | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 黎浩;吴继清;陈锋 | 申请(专利权)人: | 湖北光安伦芯片有限公司 |
主分类号: | G01B5/06 | 分类号: | G01B5/06 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 胡建文 |
地址: | 436000 湖北省鄂州市葛店*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 研磨 生产 厚度 检测 装置 | ||
本实用新型涉及一种用于晶圆研磨生产的厚度检测装置,包括测量环和测量表,测量环的底部设有多个基准支脚,各基准支脚的底端支点环形分布形成与测量环同轴的基准环,基准环的直径小于晶圆研磨盘的直径并且大于晶圆研磨盘上的各晶圆工位所对应的外切圆直径;测量环上设有供测量表滑动的直线滑轨;测量环配置有用于限定其绕晶圆研磨盘的轴线旋转的限位单元,或者直线滑轨能在测量环上绕测量环轴线旋转。通过设置测量环带动测量表作直线运动和转动运动,达到调节表针在水平面内的位置的目的,使测量表能检测到晶圆研磨盘上所有晶圆的所有测量点厚度,消除厚度检测盲区,提高检测准确性和可靠性,提高了工艺过程良率和经济效益。
技术领域
本实用新型属于半导体激光器检测技术领域,尤其是半导体激光器芯片的晶圆检测领域,具体涉及一种用于晶圆研磨生产的厚度检测装置。
背景技术
半导体激光器芯片的器件在生产制造过程中,需将晶圆研磨减薄至一定厚度,该过程中需多次检测晶圆厚度。传统的检测方式是通过3个固定位置的基准点加千分表的治具进行检测,由于治具结构的局限性,只能检测到研磨盘上的部分晶圆区域的厚度,无法实现研磨盘上所有晶圆全部区域的厚度检测,对晶圆研磨减薄厚度的控制有一定局限性,进而对晶圆的良率及推拉力性能均有影响。
实用新型内容
本实用新型涉及一种用于晶圆研磨生产的厚度检测装置,至少可解决现有技术的部分缺陷。
本实用新型涉及一种用于晶圆研磨生产的厚度检测装置,包括测量环和测量表,所述测量表为百分表、千分表或万分表;所述测量环的底部设有多个基准支脚,各所述基准支脚的底端支点环形分布形成与所述测量环同轴的基准环,所述基准环的直径小于晶圆研磨盘的直径并且大于晶圆研磨盘上的各晶圆工位所对应的外切圆直径;所述测量环上设有直线滑轨,所述测量表滑设于所述直线滑轨上并且表针伸至直线滑轨下方;所述测量环配置有用于限定其绕晶圆研磨盘的轴线旋转的限位单元,或者所述直线滑轨能在所述测量环上绕测量环轴线旋转。
作为实施方式之一,所述直线滑轨上设有用于锁定测量表位置的锁紧机构。
作为实施方式之一,所述直线滑轨为槽型滑轨,包括底轨和两块侧轨;所述测量表配置有滑设在所述底轨上的滑块,于至少其中一块侧轨上设有长度方向平行于直线导轨导向方向的直线导槽,所述直线导槽中滑设有适于与所述滑块抵接的锁紧螺钉。
作为实施方式之一,所述直线导槽处设有用于显示所述锁紧螺钉滑动位置的刻度表。
作为实施方式之一,所述测量表的滑动行程经过所述测量环的轴线。
作为实施方式之一,所述基准支脚的底端支点为球状支点。
作为实施方式之一,所述基准支脚的上部为螺杆段并且与所述测量环螺接。
作为实施方式之一,所述测量环配置有用于限定其绕晶圆研磨盘的轴线旋转的限位单元时,所述限位单元包括3个以上的限位杆,各所述限位杆均固定在所述测量环上并且分布成与测量环同轴并且适于间隙配合地套设在晶圆研磨盘外的限位环。
本实用新型至少具有如下有益效果:
本实用新型提供的厚度检测装置,通过设置测量环,可以带动测量表作直线运动和转动运动,达到调节表针在水平面内的位置的目的,从而使测量表能检测到晶圆研磨盘上所有晶圆的所有测量点厚度,消除厚度检测盲区,提高检测准确性和可靠性,检测时操作便捷、安全性能好、操作难度低,降低了操作成本和时间成本,提高了工艺过程良率和经济效益。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本实用新型实施例提供的厚度检测装置的测量状态示意图;
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