[实用新型]一种抑制谐波的内匹配电路及射频内匹配功率器件有效
| 申请号： | 202122998705.5 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN216599555U | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 刘石头;杨天应;吴绍广 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭浩辉;颜希文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 谐波 匹配 电路 射频 功率 器件 | ||
1.一种抑制谐波的内匹配电路，其特征在于，所述抑制谐波的内匹配电路包括：第一匹配模块、第二匹配模块和谐振模块；
所述第一匹配模块、所述谐振模块和所述第二匹配模块依次连接。
2.根据权利要求1所述的抑制谐波的内匹配电路，其特征在于，所述谐振模块，包括：第一电容、第二电容和第一电感；
所述第一电容的一端与所述第二电容的一端串联连接，所述第一电感的一端与所述第一电容的另一端连接，所述第一电感的另一端与所述第二电容的另一端连接，以构成并联LC谐振回路；
所述第一电容和所述第一电感的连接端与所述谐振模块的输入端连接，所述第二电容和所述第一电感的连接端与所述谐振模块的输出端连接。
3.根据权利要求1所述的抑制谐波的内匹配电路，其特征在于，所述第一匹配模块，包括：第三电容和第二电感；
所述第三电容的一端与所述第二电感的一端连接，所述第三电容的另一端与接地端连接；
所述第二电感的另一端与所述第一匹配模块的输入端连接；
所述第三电容和所述第二电感的连接端与所述第一匹配模块的输出端连接。
4.根据权利要求1所述的抑制谐波的内匹配电路，其特征在于，所述第二匹配模块，包括：第四电容和第三电感；
所述第四电容的一端与所述第三电感的一端连接，所述第四电容的另一端与接地端连接；
所述第三电感的另一端与所述第二匹配模块的输出端连接；
所述第四电容和所述第三电感的连接端与所述第二匹配模块的输入端连接。
5.根据权利要求2所述的抑制谐波的内匹配电路，其特征在于，所述第一电容和所述第二电容的容值和为0.1-0.5皮法，所述第一电感的电感值为1-5纳亨。
6.根据权利要求3所述的抑制谐波的内匹配电路，其特征在于，所述第二电感的电感值为1-2纳亨。
7.根据权利要求6所述的抑制谐波的内匹配电路，其特征在于，所述第三电容的电容值为2-4皮法。
8.根据权利要求4所述的抑制谐波的内匹配电路，其特征在于，所述第三电感的电感值为0.1-1纳亨。
9.根据权利要求8所述的抑制谐波的内匹配电路，其特征在于，所述第四电容的电容值为0.1-2皮法。
10.一种射频内匹配功率器件，其特征在于，所述射频内匹配功率器件包括：GaN HEMT器件以及两个如权利要求1-9任意一项所述抑制谐波的内匹配电路；
所述GaN HEMT器件的输入端与其中一个所述抑制谐波的内匹配电路的输出端连接，所述GaN HEMT器件的输出端与另一个所述抑制谐波的内匹配电路的输入端连接。
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