[实用新型]一种抑制谐波的内匹配电路及射频内匹配功率器件

说明书

本实用新型公开了一种抑制谐波的内匹配电路及射频内匹配功率器件，所述抑制谐波的内匹配电路包括：第一匹配模块、第二匹配模块和谐振模块；所述第一匹配模块、所述谐振模块和所述第二匹配模块依次连接。本实用新型的抑制谐波的内匹配电路包含并联LC谐振，使得信号可以在达到基波匹配的同时对二次谐波产生抑制，从而可以通过对二次谐波的处理提高功率放大器效率。

技术领域

本实用新型涉及抑制谐波的内匹配技术领域，尤其涉及一种抑制谐波的内匹配电路及射频内匹配功率器件。

背景技术

GaN HEMT射频内匹配功率器件,因其具有输出功率大、效率高、体积小、工作温度高等方面的优势，在5G通信、雷达、无人机等设备中得到了广泛的应用。GaN HEMT射频功率器件的性能很大程度上取决其内匹配电路的性能。内匹配电路对二次谐波的处理可以提高GaN HEMT射频功放的效率。在进行GaN HEMT射频功放设计时往往是要考虑对二次谐波的抑制，其原理是对二次谐波进行短路或开路处理可以对输出端波形进行整形，减少输出端电流波形与电压波形的重合，从而减少直流消耗达到提高效率的目的。

目前，处理二次谐波的常用内匹配电路是采用串联LC谐振电路，将L1与C1串联起来连接到管芯Pad处，L1采用金线实现，C1采用单层陶瓷电容实现。

但目前常用的方式有如下技术问题：这种串联LC电路的频率响应很窄且对谐波抑制度不高，难以满足现有的电路使用要求。

实用新型内容

本实用新型提出一种抑制谐波的内匹配电路及射频内匹配功率器件，所述内匹配电路分别通过匹配与谐振电路对二次谐波进行抑制，在提高响应带宽的同时能有效提高谐波的抑制度。

本实用新型实施例的第一方面提供了一种抑制谐波的内匹配电路，所述抑制谐波的内匹配电路包括：第一匹配模块、第二匹配模块和谐振模块；

所述第一匹配模块、所述谐振模块和所述第二匹配模块依次连接。

在第一方面的一种可能的实现方式中，所述谐振模块，包括：第一电容、第二电容和第一电感；

所述第一电容的一端与所述第二电容的一端串联连接，所述第一电感的一端与所述第一电容的另一端连接，所述第一电感的另一端与所述第二电容的另一端连接，以构成并联LC谐振回路；

所述第一电容和所述第一电感的连接端与所述谐振模块的输入端连接，所述第二电容和所述第一电感的连接端与所述谐振模块的输出端连接。

在第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一匹配模块，包括：第三电容和第二电感；

所述第三电容的一端与所述第二电感的一端连接，所述第三电容的另一端与接地端连接；

所述第二电感的另一端与所述第一匹配模块的输入端连接；

所述第三电容和所述第二电感的连接端与所述第一匹配模块的输出端连接。

在第一方面的一种可能的实现方式中，所述第二匹配模块，包括：第四电容和第三电感；

所述第四电容的一端与所述第三电感的一端连接，所述第四电容的另一端与接地端连接；

所述第三电感的另一端与所述第二匹配模块的输出端连接；

所述第四电容和所述第三电感的连接端与所述第二匹配模块的输入端连接。

在第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一电容和所述第二电容的容值和为0.1-0.5皮法，所述第一电感的电感值为1-5纳亨。

在第一方面的一种可能的实现方式中，所述第二电感的电感值为1-2纳亨。

在第一方面的一种可能的实现方式中，所述第三电容的电容值为2-4皮法。