[实用新型]一种钝化接触的背接触太阳能电池有效
申请号: | 202123004315.8 | 申请日: | 2021-12-02 |
公开(公告)号: | CN216311796U | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 张天杰;郭永刚;屈小勇;刘大伟;高嘉庆 | 申请(专利权)人: | 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;黄进 |
地址: | 810007 青*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钝化 接触 太阳能电池 | ||
1.一种钝化接触的背接触太阳能电池,包括硅基体(10),其特征在于,所述硅基体(10)的背表面上依次设置有第一隧穿钝化层(20)、掺杂膜层(30)以及覆盖在所述掺杂膜层(30)上的背面介质膜层(40);
其中,所述掺杂膜层(30)包括第一型掺杂膜层(31)和第二型掺杂膜层(32),所述第一型掺杂膜层(31)设置在所述第一隧穿钝化层(20)上,所述第一型掺杂膜层(31)的表面上开设有多个间隔设置的凹槽(310),所述凹槽(310)的内表面覆设有第二隧穿钝化层(21),每一所述凹槽(310)中设置有一个所述第二型掺杂膜层(32)。
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述第一型掺杂膜层(31)为n型掺杂膜层,所述第二型掺杂膜层(32)为p型掺杂膜层;或者是,所述第一型掺杂膜层(31)为p型掺杂膜层,所述第二型掺杂膜层(32)为n型掺杂膜层。
3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述第一型掺杂膜层(31)为第一型掺杂的多晶硅或非晶硅,所述第二型掺杂膜层(32)为第二型掺杂的多晶硅或非晶硅。
4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述第一隧穿钝化层(20)和所述第二隧穿钝化层(21)的分别为氧化硅层或本征非晶硅层。
5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述背面介质膜层(40)包括表面钝化层(41)和背面减反钝化层(42),所述表面钝化层(41)覆盖在所述掺杂膜层(30)上,所述背面减反钝化层(42)覆盖在所述表面钝化层(41)上。
6.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述表面钝化层(41)为氧化硅层或氧化铝层,所述背面减反钝化层(42)为SiNy:H膜层。
7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述背接触太阳能电池还包括第一金属电极(51)和第二金属电极(52),所述第一金属电极(51)穿过所述背面介质膜层(40)与所述第一型掺杂膜层(31)连接,所述第二金属电极(52)穿过所述背面介质膜层(40)与所述第二型掺杂膜层(32)连接。
8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述背接触太阳能电池还包括在所述硅基体(10)的前表面上依次设置的钝化掺杂层(60)和前表面减反钝化层(70)。
9.根据权利要求8所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述钝化掺杂层(60)是在所述硅基体(10)的前表面上通过扩散工艺或离子注入工艺制备形成的掺杂层,所述前表面减反钝化层(70)为SiNy:H膜层或氧化硅膜层与SiNy:H膜层的叠层膜结构。
10.根据权利要求1-9任一所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述硅基体(10)的背表面上对应于每一所述凹槽(310)分别具有一凸起部(100),所述凸起部(100)将所述第一型掺杂膜层(31)分割为多个相互间隔的第一型掺杂子膜层(311),所述凸起部(100)的宽度小于所述凹槽(310)的宽度,使得所述第二型掺杂膜层(32)与两侧的所述第一型掺杂子膜层(311)具有相互层叠的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的