[实用新型]一种钝化接触的背接触太阳能电池

说明书

本实用新型公开了一种钝化接触的背接触太阳能电池，包括硅基体，所述硅基体背表面上依次设置有第一隧穿钝化层、掺杂膜层以及覆盖在所述掺杂膜层上的背面介质膜层；其中，所述掺杂膜层包括第一型掺杂膜层和第二型掺杂膜层，所述第一型掺杂膜层设置在所述第一隧穿钝化层上，所述第一型掺杂膜层的表面上开设有多个间隔设置的凹槽，所述凹槽的内表面覆设有第二隧穿钝化层，每一所述凹槽中设置有一个所述第二型掺杂膜层。本实用新型提供的太阳能电池，通过设置隧穿钝化层，避免了金属电极与硅基体直接接触，而第二型掺杂膜层设置在第一型掺杂膜层表面上具有隧穿钝化层的凹槽内，避免了掺杂膜层之间接触产生漏电，同时还增大了掺杂膜层的覆盖面积。

技术领域

本实用新型属于晶硅光伏器件技术领域，尤其涉及一种钝化接触的背接触太阳能电池。

背景技术

背接触太阳能电池由于其独特的结构设计，正面无栅线遮光，将电池的p 型掺杂发射区、n型掺杂背表面场区及金属栅线(电极)均设置于电池背面的一种晶硅太阳电池，该种电池结构设计具有较高的电流输出，因此可获得更高的转换效率，引起了人们广泛的研究。特别是对于IBC(叉指状背接触太阳能电池)电池结构，正是充分展现了背接触电池的结构设计优势。如图1a所示，常规的背接触太阳能电池表面结构为在硅基体1的背表面通过元素扩散或离子注入的方式形成p型掺杂区2和n型掺杂区3，然后再设置钝化层4。基于以上的电池结构：当将金属电极连接至p型掺杂区2和n型掺杂区3时，金属电极直接与硅基体1接触，接触区域金属复合严重；另外，p型掺杂区2和n型掺杂区 3之间横向直接相接触，由于p型掺杂区2和n型掺杂区3的掺杂浓度高，在横向交界面形成处会产生漏电。

为了解决上述问题，现有技术中在p型掺杂区和n型掺杂区之间引入一个未掺杂或本征的间隙区域(或称为Gap区域)，从而避免了p型掺杂区和n型掺杂区横向的直接接触。如图1b所示，针对p型掺杂区2和n型掺杂区3之间横向直接相接触产生漏电的问题，在p型掺杂区2和n型掺杂区3之间设置了一个未掺杂或本征的间隙区域5，避免了p型掺杂区2和n型掺杂区3之间横向直接相接触，解决了漏电的问题，但是由于增加了未掺杂或本征的间隙区域5，使得 p型掺杂区2和n型掺杂区3的覆盖面积减少，载流子的有效收集面积减小了，同时增加了载流子的横向传输复合。

实用新型内容

鉴于现有技术存在的不足，本实用新型提供了一种钝化接触的背接触太阳能电池，以解决现有的背接触太阳能电池掺杂膜层横向接触区域产生的漏电，掺杂膜层覆盖面积少的问题。

为了解决以上问题，本实用新型提供了一种钝化接触的背接触太阳能电池，包括硅基体，所述硅基体的背表面上依次设置有第一隧穿钝化层、掺杂膜层以及覆盖在所述掺杂膜层上的背面介质膜层；

其中，所述掺杂膜层包括第一型掺杂膜层和第二型掺杂膜层，所述第一型掺杂膜层设置在所述第一隧穿钝化层上，所述第一型掺杂膜层的表面上开设有多个间隔设置的凹槽，所述凹槽的内表面覆设有第二隧穿钝化层，每一所述凹槽中设置有一个所述第二型掺杂膜层。

优选地，所述第一型掺杂膜层为n型掺杂膜层，所述第二型掺杂膜层为p 型掺杂膜层；或者是，所述第一型掺杂膜层为p型掺杂膜层，所述第二型掺杂膜层为n型掺杂膜层。

优选地，所述第一型掺杂膜层为第一型掺杂的多晶硅或非晶硅，所述第二型掺杂膜层为第二型掺杂的多晶硅或非晶硅。

优选地，所述第一隧穿钝化层和所述第二隧穿钝化层的分别为氧化硅层或本征非晶硅层。

优选地，所述背面介质膜层包括表面钝化层和背面减反钝化层，所述表面钝化层覆盖在所述掺杂膜层上，所述背面减反钝化层覆盖在所述表面钝化层上。

优选地，所述表面钝化层为氧化硅层或氧化铝层，所述背面减反钝化层为 SiN_y:H膜层。