[实用新型]一种高压功率半导体芯片的新型封装结构

权利要求书

1.一种高压功率半导体芯片的新型封装结构，包括半导体芯片主体(1)、封装层(2)、第一橡胶垫(3)、通风口(4)和放置槽(15)，其特征在于：所述半导体芯片主体(1)外侧设置有封装层(2)，所述半导体芯片主体(1)外侧设置有第一橡胶垫(3)，所述封装层(2)上开设有通风口(4)，所述半导体芯片主体(1)上侧设置有上盖板(5)，所述封装层(2)内部设置有第一弹簧(6)，所述第一弹簧(6)内部设置有移动杆(7)，且移动杆(7)下端连接有第一连接板(8)，所述半导体芯片主体(1)上侧设置有螺纹杆(9)，所述上盖板(5)内部设置有移动块(10)，所述螺纹杆(9)下端设置有第二连接板(11)，且第二连接板(11)下端设置有第二橡胶垫(12)，所述第二连接板(11)上设置有第二弹簧(13)，所述半导体芯片主体(1)上侧设置有散热片(14)，所述封装层(2)内部开设有放置槽(15)。

2.根据权利要求1所述的一种高压功率半导体芯片的新型封装结构，其特征在于：所述封装层(2)与第一橡胶垫(3)的连接方式为固定连接，且第一橡胶垫(3)与半导体芯片主体(1)的连接方式为接触连接，并且第一橡胶垫(3)的宽度与半导体芯片主体(1)的宽度相同。

3.根据权利要求1所述的一种高压功率半导体芯片的新型封装结构，其特征在于：所述上盖板(5)与移动杆(7)的连接方式为固定连接，且移动杆(7)与封装层(2)的连接方式为活动连接，并且移动杆(7)在封装层(2)上构成移动结构。

4.根据权利要求1所述的一种高压功率半导体芯片的新型封装结构，其特征在于：所述移动杆(7)与第一连接板(8)的连接方式为固定连接，且第一连接板(8)与封装层(2)的连接方式为活动连接，并且第一连接板(8)在封装层(2)内部构成移动结构。

5.根据权利要求1所述的一种高压功率半导体芯片的新型封装结构，其特征在于：所述螺纹杆(9)与上盖板(5)的连接方式为螺纹连接，且螺纹杆(9)与移动块(10)的连接方式为活动连接，并且移动块(10)在上盖板(5)内部构成移动结构。

6.根据权利要求1所述的一种高压功率半导体芯片的新型封装结构，其特征在于：所述散热片(14)与上盖板(5)的连接方式为可拆卸连接，且散热片(14)与移动块(10)的连接方式为接触连接。