[实用新型]一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架有效
| 申请号： | 202123018796.8 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN216389337U | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 姜旭波 | 申请（专利权）人： | 中科华艺（天津）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 天津合正知识产权代理有限公司 12229 | 代理人： | 李震勇 |
| 地址： | 300304 天津市东丽区华*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高压 mosfet 产品 电子元件 框架 | ||
1.一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架，其特征在于：包括元件固定单元以及分布在元件固定单元周侧的多个管脚，所述元件固定单元中部设有连接盘，连接盘置于一方形的导热框内，且导热框一侧边缘设有加宽散热边，且所述加宽散热边上开有且沿加宽散热边长度方向开有多个锁胶孔。
2.根据权利要求1所述的一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架，其特征在于：锁胶孔分为防错锁胶孔和常规锁胶孔，所述防错锁胶孔处于加宽散热边的边角处。
3.根据权利要求1所述的一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架，其特征在于：每个框架单元内的加宽散热边相互连接，且加宽散热边两端设有薄弱部。
4.根据权利要求1所述的一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架，其特征在于：多个管脚分为漏极连接管脚、控制连接管脚和栅极连接管脚，漏极连接管脚有多个，多个漏极连接管脚之间通过导电通路连接。
5.根据权利要求4所述的一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架，其特征在于：漏极连接管脚分别置于加宽散热边远离连接盘的一侧。
6.根据权利要求1所述的一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架，其特征在于：连接盘以及导热框上表面处于同一平面内，且在连接盘和导热框上表面设有电镀涂层。
7.根据权利要求1所述的一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架，其特征在于：多个管脚的上表面分别设有电镀涂层。
8.根据权利要求4所述的一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架，其特征在于：导电通路上表面设有电镀涂层。
9.根据权利要求1所述的一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架，其特征在于：多个管脚以及元件固定单元之间填充有环氧树脂。
10.根据权利要求1所述的一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架，其特征在于：管脚和导热框下表面设有半蚀刻形成的多条连接槽。
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