[实用新型]一种斜交式离化源的镀膜腔

说明书

本实用新型涉及镀膜机械技术领域，提出了一种斜交式离化源的镀膜腔，包括具有镀膜腔的壳体及设置在壳体上的抽气口，还包括等离子靶源和转动架，等离子靶源有若干个，均设置在壳体上，转动架有若干个，均转动设置在壳体的镀膜腔内，等离子靶源的输出端均向镀膜腔的中心偏移设置，其中，上下端分别为倾斜的离化源，通过上述技术方案，解决了现有技术中靶材溅射无法有效覆盖工件的问题。

技术领域

本实用新型涉及镀膜机械技术领域，具体的，涉及一种斜交式离化源的镀膜腔。

背景技术

物理气相沉积技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积是主要的表面处理技术之一。

PVD(物理气相沉积)镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜。物理气相沉积的主要方法有：真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜和分子束外延等。相应的真空镀膜设备包括真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机。

在镀膜时，工件的尺寸大小不一，尺寸不同对镀膜效果会有一定的影响，靶材均匀溅射但在一定区域内无法溅射到工件表面，浪费材料并且达不到预期的镀膜效果。

因此我们亟需一种方案解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型提出一种斜交式离化源的镀膜腔，解决了相关技术中靶材溅射无法有效覆盖工件的问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种斜交式离化源的镀膜腔，包括具有镀膜腔的壳体及设置在所述壳体上的抽气口，还包括，

等离子靶源，有若干个，均设置在所述壳体上，

转动架，有若干个，均转动设置在所述壳体的镀膜腔内，

所述等离子靶源的输出端均向镀膜腔的中心偏移设置。

作为进一步技术方案，所述等离子靶源的输出端与水平面的夹角在0°～5°之间。

作为进一步技术方案，所述壳体具有开合区和工作区，所述开合区的一侧具有第一开口；还包括门体，所述门体铰接设置在所述壳体上，用于遮挡所述第一开口。

作为进一步技术方案，所述等离子靶源沿所述壳体的工作区圆弧均匀设置组成离子源组，若干个所述离子源组沿所述壳体竖直方向均匀设置。

作为进一步技术方案，所述转动架有若干个；还包括传动装置，设置在所述壳体上，所述传动装置包括，

驱动轴，所述驱动轴穿过所述壳体，所述驱动轴转动设置在所述壳体上，

第一齿轮，所述第一齿轮设置在所述驱动轴上，位于所述驱动轴镀膜腔内的一端，

第二齿轮，有若干个，所述第二齿轮均与所述第一齿轮啮合，若干个所述第二齿轮分别与若跟个所述转动架连接。

作为进一步技术方案，所述传动装置还包括，

第三齿轮，所述第三齿轮设置在所述驱动轴上，所述第三齿轮位于所述驱动轴镀膜腔外的一端，

减速机，所述减速机的输出端与所述第三齿轮啮合，

驱动电机，所述驱动电机设置在所述壳体上，所述驱动电机的输出端与所述减速机的输入端连接，所述驱动电机通过所述减速机驱动所述第三齿轮转动。

作为进一步技术方案，所述门体上具有视镜，所述视镜用于观察镀膜腔内部。

本实用新型的工作原理及有益效果为：