[实用新型]一种精简型高精度单晶硅传感器有效
| 申请号： | 202123026425.4 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN216695388U | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 王旭;马志强 | 申请（专利权）人： | 南京沃天科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L13/06 | 分类号： | G01L13/06 |
| 代理公司： | 南京中软知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32466 | 代理人： | 郑燕飞 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 精简 高精度 单晶硅 传感器 | ||
1.一种精简型高精度单晶硅传感器，包括烧结底座（1）、单晶硅芯片（2）、低压基座（3）、芯体管路（4）、高压基座（5）、基座管路（6）、中心膜片（7）、中心腔室（8）、隔离膜片（9）、隔离腔室（10）、填充液（11）、充油管（12）、螺纹接头（13），所述烧结底座（1）的下部内嵌槽安装有单晶硅芯片（2）；所述烧结底座（1）的上部连接有螺纹接头（13）；所述烧结底座（1）横向设置有芯体管路（4）；所述烧结底座（1）竖向穿插有充油管（12）；所述烧结底座（1）的底部连接有高压基座（5）和低压基座（3）；所述高压基座（5）和低压基座（3）之间夹持开设有中心腔室（8）；所述高压基座（5）和低压基座（3）的内部均开设有基座管路（6）；所述中心腔室（8）的两侧壁均通过基座管路（6）与烧结底座（1）相连通；所述高压基座（5）和低压基座（3）的中部还横向贯穿开设有隔离腔室（10）；所述高压基座（5）和低压基座（3）的外侧壁均安装有隔离膜片（9）；所述隔离腔室（10）与中心腔室（8）相互连通。
2.根据权利要求1所述的一种精简型高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述芯体管路（4）、基座管路（6）、中心腔室（8）、隔离腔室（10）内腔均通过充油管（12）加注有填充液（11）。
3.根据权利要求1所述的一种精简型高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述充油管（12）的数量为两个或两个以上，且充油管（12）竖向贯穿连通到单晶硅芯片（2）所在的安装空间内。
4.根据权利要求1所述的一种精简型高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述中心膜片（7）与隔离膜片（9）均为金属膜片。
5.根据权利要求1所述的一种精简型高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述填充液（11）采用的是硅油。
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