[实用新型]一种双拓扑结构的电路有效
申请号: | 202123027576.1 | 申请日: | 2021-12-02 |
公开(公告)号: | CN217159562U | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 朱贤能;侯兴江;邢利敏 | 申请(专利权)人: | 深圳市时代速信科技有限公司 |
主分类号: | H02M7/06 | 分类号: | H02M7/06;H02J9/04 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郭浩辉;颜希文 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 拓扑 结构 电路 | ||
1.一种双拓扑结构的电路,其特征在于,包括:第一拓扑电路、第二拓扑电路、开关模块和射频分路模块;
所述第一拓扑电路和所述第二拓扑电路共用同一射频分路模块;所述射频分路模块包括输入匹配网络模块、输出匹配网络模块、第一放大MOS管、第二放大MOS管、第一电感、第三电感和第四电感;所述输入匹配网络模块与所述第一放大MOS管的栅极连接;所述第一放大MOS管的源极与所述第四电感连接;所述第三电感与所述第一电感、所述第二放大MOS管的漏极连接;
所述开关模块与所述第一拓扑电路和所述第二拓扑电路连接。
2.如权利要求1所述的一种双拓扑结构的电路,其特征在于,
所述开关模块包括第一开关MOS管单元和第二开关MOS管单元;
所述第一开关MOS管单元与所述第一拓扑电路连接;
所述第二开关MOS管单元与所述第二拓扑电路连接;
所述第一开关MOS管单元包括第三开关MOS管、第四开关MOS管和第七开关MOS管;
所述第二开关MOS管单元包括第五开关MOS管和第六开关MOS管。
3.如权利要求2所述的一种双拓扑结构的电路,其特征在于,
所述第一拓扑电路包括第一电容和第一电阻;
所述第三开关MOS管的漏极与所述第二放大MOS管的栅极连接;所述第四开关MOS管的漏极与所述第一放大MOS管的漏极连接;所述第四开关MOS管的源极与所述第二放大MOS管的源极连接;所述第七开关MOS管的源极与所述第一放大MOS管的栅极连接;所述第一电容分别与所述第三开关MOS管的源极、所述第一电阻连接;所述第一电阻另一端接地。
4.如权利要求2所述的一种双拓扑结构的电路,其特征在于,
所述第一拓扑电路还包括反馈网络模块;
所述反馈网络模包括第二电阻和第四电容;
所述第四电容分别与所述第七开关MOS管的漏极、所述第二电阻连接,所述第二电阻与所述输出匹配网络模块连接。
5.如权利要求2所述的一种双拓扑结构的电路,其特征在于,
所述第二拓扑电路包括第二电感;
所述第五开关MOS管的源极与所述第二放大MOS管的栅极连接;所述第二电感分别与所述第一放大MOS管的漏极、第二放大MOS管的源极连接;所述第六开关MOS管的源极与所述第二放大MOS管的源极连接。
6.如权利要求2所述的一种双拓扑结构的电路,其特征在于,
所述第二拓扑电路还包括级间匹配网络模块;
所述级间匹配网络模块,包括第二电容和第三电容;
所述第二电容分别与所述第五开关MOS管的漏极、所述第一放大MOS管的漏极连接,所述第三电容与所述第六开关MOS管的漏极连接,另一端接地。
7.如权利要求1所述的一种双拓扑结构的电路,其特征在于,
所述第一电感为扼流电感,所述第三电感为阻抗匹配电感,所述第四电感为反馈电感。
8.如权利要求1所述的一种双拓扑结构的电路,其特征在于,
所述输入匹配网络模块为输入阻抗匹配段;
所述输出匹配网络模块为输出阻抗匹配段。
9.如权利要求5所述的一种双拓扑结构的电路,其特征在于,
所述第二电感为扼流电感。
10.如权利要求6所述的一种双拓扑结构的电路,其特征在于,
所述第三电容为共地电容。
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