[实用新型]一种双拓扑结构的电路有效

专利信息
申请号: 202123027576.1 申请日: 2021-12-02
公开(公告)号: CN217159562U 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 朱贤能;侯兴江;邢利敏 申请(专利权)人: 深圳市时代速信科技有限公司
主分类号: H02M7/06 分类号: H02M7/06;H02J9/04
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郭浩辉;颜希文
地址: 518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 拓扑 结构 电路
【说明书】:

实用新型公开了一种双拓扑结构的电路,包括第一拓扑电路、第二拓扑电路、开关模块和射频分路模块。通过开关模块实现对开关MOS管的通断控制,在一个电路中实现两种拓扑电路结构的切换,解决单一拓扑电路无法同时实现增益、驻波、稳定性兼容的问题。同时,两种拓扑共用同一射频分路模块,相比提供两套单一拓扑而言,本实用新型的电路可以在一定程度上缩略电路面积。

技术领域

本实用新型涉及射频、电子技术领域,特别是涉及一种双拓扑结构的电路。

背景技术

目前,随着多带多标准的概念在现代无线通信中受到越来越多的关注,为了支持广泛的通信标准并在单个设备中适应不同的应用,宽带的接收发机是必不可少的。对于用于移动通信设备的高频信号的放大电路,要求跨越宽的动态范围具有优异的放大特性以及增益能力。

在放大电路设计中,为了使得整个系统比较稳定,一般都会引入负反馈结构,来对放大器件进行负反馈,但是这是以牺牲放大器模块的增益为代价的;例如由于引入负反馈,使得放大器模块的增益小于放大器件自身的增益。反过来,虽然正反馈结构可以增大放大器模块的增益,但是现在设计中都会尽量避免引入正反馈,因为这会给系统带来许多负面问题,典型的像会导致系统的不稳定。

现有技术通常采用的方法是堆叠式CSCG(Common source commongate共源共栅)电路或CSCS(Co-source co-source共源共源) 电路,针对宽带超宽带要求,一般再辅以负反馈的方式。但CSCG宽带电路高频段的性能较弱、增益能力不如CSCS电路,且容易高频不稳定。而CSCS宽带电路低频段的性能较弱,带宽不如CSCG电路,且容易低频不稳定。单一的电路模式无法兼容不同频段下的增益、性能、稳定性的要求。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是:改善单一电路无法兼容性能、增益、稳定度的缺陷,拓宽应用场景。

为了解决上述问题,本实用新型提供了一种双拓扑结构的电路,包括:第一拓扑电路、第二拓扑电路、开关模块和射频分路模块;所述第一拓扑电路和所述第二拓扑电路共用同一射频分路模块;所述射频分路模块包括输入匹配网络模块、输出匹配网络模块、第一放大 MOS管、第二放大MOS管、第一电感、第三电感和第四电感;所述输入匹配网络模块与所述第一放大MOS管的栅极连接;所述第一放大MOS 管的源极与所述第四电感连接;所述第三电感与所述第一电感、所述第二放大MOS管的漏极连接;

所述开关模块与所述第一拓扑电路和所述第二拓扑电路连接。

进一步的,所述开关模块包括第一开关MOS管单元和第二开关MOS 管单元;

所述第一开关MOS管单元与所述第一拓扑电路连接;

所述第二开关MOS管单元与所述第二拓扑电路连接;

所述第一开关MOS管单元包括第三开关MOS管、第四开关MOS管和第七开关MOS管;

所述第二开关MOS管单元包括第五开关MOS管和第六开关MOS管。

进一步的,所述第一拓扑电路包括第一电容和第一电阻;

所述第三开关MOS管的漏极与所述第二放大MOS管的栅极连接;所述第四开关MOS管的漏极与所述第一放大MOS管的漏极连接;所述第四开关MOS管的源极与所述第二放大MOS管的源极连接;所述第七开关MOS管的源极与所述第一放大MOS管的栅极连接;所述第一电容分别与所述第三开关MOS管的源极、所述第一电阻连接;所述第一电阻另一端接地。

进一步的,所述第一拓扑电路还包括反馈网络模块;

所述反馈网络模块包括第二电阻和第四电容;

所述第四电容分别与所述第七开关MOS管的漏极、所述第二电阻连接,所述第二电阻与所述输出匹配网络模块连接。

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