[实用新型]一种高频集成电路封装的引线框架

说明书

本实用新型属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种高频集成电路封装的引线框架，所述引线中每一对高频差分引线对形成一对阻抗一致的共面差分结构，本实用新型解决现有技术存在现有引线框架由于缺乏统一的标准化结构，从而造成大量的寄生电感，并影响传输的信号特征的问题，具有有效减少导线长度，降低寄生电感，同时提高了信号的传输特征的有益技术效果。

技术领域

本实用新型属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种高频集成电路封装的引线框架。

背景技术

随着集成电路产品朝着高频高速方向发展，同时输入、输出数量不断增大，芯片的面积也不断增大，导致传统QFN封装产品也将随之增大，内部键合线的长度也相应增大，寄生效应明显，严重时会恶化传输性能，使得器件无法正常工作，如图3所示，其中通道1、通道2、通道3、通道4为高频高速信号通道，以通道1为例，相应的差分传输特性如图2所示，其中在关注频点6.56GHz，通道1的插入损耗S21为-0.62dB，回波损耗S11为-9.76dB。如何进一步提升现有QFN无引脚封装的高频高速传输性能已经成为本领域技术人员亟待解决的问题；

QFN作为一种无引脚集成电路封装结构，其采用低成本的塑料封装技术，引出焊盘分别位于封装体下方的四周，焊盘之间距离较小，封装体内部具备较大面积的载片台，主要用于承载集成电路芯片，载片台背面外露于封装体外。集成电路芯片焊盘与QFN引线焊盘和载片台之间通常采用键合线的方式来实现信号、电源的互连；

现有技术存在现有引线框架由于缺乏统一的标准化结构，从而造成大量的寄生电感，并影响传输的信号特征的问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种高频集成电路封装的引线框架，以解决上述背景技术中提出了现有技术存在现有引线框架由于缺乏统一的标准化结构，从而造成大量的寄生电感，并影响传输的信号特征的问题。

本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种高频集成电路封装的引线框架，包括芯片，所述芯片引线键合拓展于载片台内；

所述引线中每一对高频差分引线对形成一对阻抗一致的共面差分结构。

进一步，所述芯片优选QFN封装，并形成QFN引线框架。

进一步，所述QFN引线框架的四组高频差分引线对分别形成阻抗一致的共面差分结构。

进一步，所述QFN引线框架的每组高频差分引线对的每个引脚宽度优选为0.13mm，其引脚间距优选为0.15mm，其每根键合线的长度范围为0.79mm～0.92mm。

进一步，所述QFN引线框架的每组高频差分引线对之间的间距优选为0.27mm。

进一步，所述QFN引线框架的每组高频差分引线对的关注频点6.56GHz，每组高频差分引线对的插入损耗为-0.19dB，回波损耗S11为-17.31dB。

有益技术效果：

1、本专利采用所述芯片引线键合拓展于载片台内；所述引线中每一对高频差分引线对形成一对阻抗一致的共面差分结构，由于根据高频/高速信号布局特点，将QFN内部焊盘朝载片台内拓展结构，其中，本方案针对高频引线分别独立处理，因为高频信号在整个系统运行中的性能非常重要，可以直接提高系统性能，也可以导致系统崩溃，基于上述动机，本方案，对每一对高频差分引线分别进行处理，形成阻抗一致且共面差分的信号结构，该信号结构有效减少导线长度，降低寄生电感，同时提高了信号的传输特征。