[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 202123050092.9 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN216793685U | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 塚田亘 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/18;H01L23/49;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包含：
基板，其中所述基板的边缘包含多个电连接件；
第一多个半导体芯片，其平行且远离所述基板的所述边缘安置，所述第一多个半导体芯片的每一者经由第一多个导电迹线电连接至相应的所述多个电连接件；以及
第二多个半导体芯片，其平行且靠近所述基板的所述边缘安置，所述第二多个半导体芯片的每一者经由第二多个导电迹线电连接至相应的所述多个电连接件，
其中所述第一多个半导体芯片相较于所述第二多个半导体芯片更加靠近所述基板的中心安置。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多个导电迹线的至少一部分垂直于所述基板的所述边缘。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多个导电迹线的所述至少一部分延伸穿过相邻的所述第二多个半导体芯片之间的间隙。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二多个半导体芯片的第一半导体芯片经由第一球状矩阵排列BGA电耦合至所述基板，且所述第二多个半导体芯片的第二半导体芯片经由第二球状矩阵排列BGA电耦合至所述基板。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多个导电迹线的所述至少一部分延伸穿过所述第一BGA与所述第二BGA之间的间隙。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多个导电迹线的所述至少一部分电连接至第一组数据输入输出通道DQ连接器。
7.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二多个导电迹线的所述至少一部分电连接至第二组数据输入输出通道DQ连接器，所述第二组数据输入输出通道DQ连接器与所述第一组数据输入输出通道DQ连接器彼此分离。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多个半导体芯片与所述第二多个半导体芯片具有相同的类型。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多个半导体芯片和所述第二多个半导体芯片包含动态随机存取存储器DRAM。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基板进一步包含位于所述基板的所述中心处的一或多个控制器芯片以控制所述第一多个半导体芯片和所述第二多个半导体芯片中的至少一者。
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