[实用新型]一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置有效
申请号: | 202123107330.5 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN216354071U | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 尹朝蓉 | 申请(专利权)人: | 成都锦沪新材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/225 | 分类号: | H01L21/225 |
代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 器件 硅片 扩散 用磷片 生产 装置 | ||
1.一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置,包括炉体(1),炉体(1)的一端呈敞开式,炉体(1)上连通有出气管(8),其特征在于:所述炉体(1)内固定有靠近炉体(1)敞开处的固定壳(2),所述固定壳(2)上开设有一组排气口(21);所述炉体(1)远离固定壳(2)的一端设有储气壳(5),所述储气壳(5)上连通有贯穿炉体(1)的排气管(4),所述排气管(4)位于炉体(1)内的一端连通有可拆卸连接的连接壳(3),所述连接壳(3)靠近固定壳(2)的一面设有承载条(32),所述承载条(32)与连接壳(3)相连通,所述承载条(32)上开设有一组卡槽(33)和一组出气孔(34),一组所述卡槽(33)和一组出气孔(34)呈交错分布;所述储气壳(5)上还连通有贯穿炉体(1)与固定壳(2)相连通的连接管(6)。
2.根据权利要求1所述的一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置,其特征在于:所述固定壳(2)上还固定有位于排气口(21)下方且用于承载连接壳(3)的承载板(22)。
3.根据权利要求1所述的一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置,其特征在于:所述储气壳(5)上固定有电机(52),所述电机(52)的转轴上固定有位于储气壳(5)内的搅拌桨(53);所述储气壳(5)内固定有隔板(51),所述隔板(51)的顶部与储气壳(5)内腔的顶部具有间隙,所述储气壳(5)上连通有进气管(54),所述连接管(6)和排气管(4)均位于隔板(51)背离进气管(54)的一面。
4.根据权利要求1所述的一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置,其特征在于:所述炉体(1)背离储气壳(5)的一端设有通过液压杆驱动的密封盖(7);所述出气管(8)位于连接壳(3)和固定壳(2)之间。
5.根据权利要求1所述的一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置,其特征在于:所述连接壳(3)上设置的承载条(32)的数量为两个,两个所述承载条(32)呈对称分布,两个所述承载条(32)上的卡槽(33)和出气孔(34)分别位于两个承载条(32)的相对面;所述连接壳(3)上还插接有两个呈对称分布的限位杆(31),两个所述限位杆(31)位于两个承载条(32)之间。
6.根据权利要求1所述的一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置,其特征在于:所述固定壳(2)的数量为两个,两个所述固定壳(2)呈对称分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造