[实用新型]一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置有效
申请号: | 202123107330.5 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN216354071U | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 尹朝蓉 | 申请(专利权)人: | 成都锦沪新材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/225 | 分类号: | H01L21/225 |
代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 器件 硅片 扩散 用磷片 生产 装置 | ||
本实用新型提供了一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置,包括炉体,炉体的一端呈敞开式,炉体上连通有出气管,所述炉体内固定有靠近炉体敞开处的固定壳,所述固定壳上开设有一组排气口;所述炉体远离固定壳的一端设有储气壳,所述储气壳上连通有贯穿炉体的排气管,所述排气管位于炉体内的一端连通有可拆卸连接的连接壳,所述连接壳靠近固定壳的一面设有承载条,所述承载条与连接壳相连通,所述承载条上开设有一组卡槽和一组出气孔,一组所述卡槽和一组出气孔呈交错分布。本实用新型可以有效的使惰性气体分散在炉体内,从而使粉末流均匀的分散在炉内,保证了每个圆片冷却后其表面都形成有充足的磷片。
技术领域
本实用新型涉及磷片生产装置技术领域,尤其涉及一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置。
背景技术
硅片的应用范围广泛,我国对半导体大功率器件的需求日益增长,相关材料供给困难的矛盾进一步突出,其中高功率器件硅片扩散源磷源基本掌握在国外的厂商手里;硅片在进行磷扩散处理时,需要将多个硅片装载在石英舟上,然后将石英舟放置在扩散炉内(一般就是扩散石英管中),通入含有扩散源的气体均匀流过各个硅片,在高温条件下对硅片实施磷扩散;而高纯磷片是利用高纯磷粉混合物,通过在石英管内石英舟上放置的镀膜耐温高分子塑料圆片,再向石英管内通入纯化后的惰性气体形成粉末流均匀流过各个圆片,冷却后剥离形成磷片,即可用于硅片扩散;而通入石英管内的惰性气体和高纯磷粉从炉尾排入炉内后,受炉体长度和多个圆片排列长度较长等原因,惰性气体很难将高纯磷粉均匀的分散在炉内,靠近炉尾的圆片上沾染的高纯磷粉会比远离炉尾的圆片上沾染的高纯磷粉多,从而出现一部分圆片上高纯磷粉冷却后磷片堆积过多,后续不便于剥离的情况,而另一部分圆片上高纯磷粉冷却后磷片较少,降低了磷片的产出。
实用新型内容
本实用新型公布了一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置,解决了惰性气体很难将高纯磷粉均匀的分散在炉内,导致出现一部分圆片上高纯磷粉冷却后磷片堆积过多,后续不便于剥离,而另一部分圆片上高纯磷粉冷却后磷片较少,降低了磷片生产效率的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型具体采用如下技术方案:
一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置,包括炉体,炉体的一端呈敞开式,炉体上连通有出气管,所述炉体内固定有靠近炉体敞开处的固定壳,所述固定壳上开设有一组排气口;所述炉体远离固定壳的一端设有储气壳,所述储气壳上连通有贯穿炉体的排气管,所述排气管位于炉体内的一端连通有可拆卸连接的连接壳,所述连接壳靠近固定壳的一面设有承载条,所述承载条与连接壳相连通,所述承载条上开设有一组卡槽和一组出气孔,一组所述卡槽和一组出气孔呈交错分布;所述储气壳上还连通有贯穿炉体与固定壳相连通的连接管。
相对于现有技术,本实用新型具有如下有益效果:
将圆片放置在承载条上的卡槽内后,将连接壳从炉体敞开的一端放置进炉体内,使连接壳与排气管连通后,对连接壳进行固定,再将炉体敞开的一端密封;然后储气壳内的一部分惰性气体携带高纯磷粉通过排气管进入连接壳内后,惰性气体通过承载条上的出气孔排出,一组卡槽和一组出气孔交错分布,使惰性气体可以吹向承载条上的每个圆片;当靠近储气壳的出气孔排出的惰性气体风力较强,因此随着惰性气体排出的高纯磷粉充足,而远离储气壳的出气孔排出的惰性气体风力较弱,惰性气体中蕴含的高纯磷粉较少时;另一部分惰性气体通过连接管进入固定壳内后,惰性气体再通过排气口排出,吹向远离储气壳的一部分圆片,补充圆片上沾附的高纯磷粉,而炉体内的废气则通过出气管排出;本实用新型可以有效的使惰性气体分散在炉体内,从而使粉末流均匀的分散在炉内,保证了每个圆片冷却后其表面都形成有充足的磷片。
附图说明
图1为本实用新型正视的结构示意图;
图2为本实用新型炉体俯视剖视的结构示意图;
图3为本实用新型连接壳正视的结构示意图;
图4为本实用新型承载条俯视的结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都锦沪新材料有限公司,未经成都锦沪新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202123107330.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种热处理加工线的燃气混合控制仓
- 下一篇:一种便于调节位置的恒温炉
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造