[实用新型]一种高可靠性厚膜基片有效

专利信息
申请号: 202123110177.1 申请日: 2021-12-13
公开(公告)号: CN216597584U 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 张超超;唐拓;刘金丽;阳永衡;彭婕;董晶;邓宁;杨正清 申请(专利权)人: 贵州振华风光半导体股份有限公司
主分类号: H01L27/01 分类号: H01L27/01
代理公司: 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 代理人: 刘安宁
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 可靠性 厚膜基片
【权利要求书】:

1.一种高可靠性厚膜基片,其特征在于,包括:基片衬底,导带,阻带,芯片粘接区,导带键合区,相关电子元器件焊接区,绝缘介质覆盖保护区;

所述导带、阻带、芯片粘接区、导带键合区、相关电子元器件焊接区印刷在基片衬底上,阻带的两端联结不同的导带,导带键合区、相关电子元器件焊接区与相应的导带联结,芯片粘接区可以与相应的导带联结或为无联结的独立区域,绝缘介质覆盖保护区覆盖除粘接、键合及焊接区域的以外的区域。

2.如权利要求1所述的一种高可靠性厚膜基片,其特征在于,所述导带为铂银-钯银-金复合结构,表层为金层。

3.如权利要求1所述的一种高可靠性厚膜基片,其特征在于,所述基片衬底为氧化铍陶瓷。

4.如权利要求1所述的一种高可靠性厚膜基片,其特征在于,所述阻带为钌系阻带。

5.如权利要求1所述的一种高可靠性厚膜基片,其特征在于,所述芯片粘接区为铂银-钯银-金复合结构,表层为金层。

6.如权利要求1所述的一种高可靠性厚膜基片,其特征在于,所述导带键合区为铂银-钯银-金复合结构,表层为金层。

7.如权利要求1所述的一种高可靠性厚膜基片,其特征在于,所述相关电子元器件焊接区为铂银-钯银-金复合结构,表层为金层。

8.如权利要求1所述的一种高可靠性厚膜基片,其特征在于,所述绝缘介质为玻璃釉。

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